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1. (WO2004059704) MICROSTRUCTURE ISOLANTE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059704    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/041318
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 26.12.2002
CIB :
B81C 1/00 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : KIONIX INC. [US/US]; 36 Thornwood Drive, Ithaca, NY 14850 (US).
ADAMS, Scott, G. [US/US]; (US).
MILLER, Scott, A. [US/US]; (US)
Inventeurs : MILLER, Scott, A.; (US)
Mandataire : RARING, Alexander D.; Jones, Tullar & Cooper, P.C., PO Box 2266 Eads Station, Arlington, VA 22202 (US)
Données relatives à la priorité :
10/322,990 18.12.2002 US
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING AN OXIDE BEAM
(FR) MICROSTRUCTURE ISOLANTE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing an insulating micro-structure (100) by etching a plurality of trenches in a silicon substrate (101) and filling said trenches with insulating materials (105, 107). The trenches are etched and then oxidized until completely or almost completely filled with silicon dioxide. Additional insulating material is then deposited as necessary to fill any remaining trenches, thus forming the structure. When the top of the structure is metallized, the insulating structure increases voltage resistance and reduces the capacitive coupling between the metal (109) and the silicon substrate. Part of the silicon substrate underlying the structure is optionally removed further to reduce the capacitive coupling effect. Hybrid silicon-insulator structures can be formed to gain the effect of the benefits of the structure in three-dimensional configurations, and to permit metallization of more than one side of the structure.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une microstructure isolante (100), selon lequel on grave une pluralité de tranchées dans un substrat en silicium (101) et on remplit ces tranchées de matériaux isolants (105, 107). On grave les tranchées et on les oxyde ensuite jusqu'à ce qu'elles soient complètement ou presque complètement remplies de dioxyde de silicium. On dépose ensuite un matériau isolant supplémentaire, si nécessaire, pour remplir les quelconques tranchées restantes, et former ainsi la structure. La métallisation du dessus de la structure augmente la résistance à la tension de la structure isolante et réduit le couplage capacitif entre le métal (109) et le substrat en silicium. On enlève facultativement une partie du substrat en silicium en-dessous de la structure afin de réduire davantage l'effet de couplage capacitif. On peut former des structures hybrides silicium-isolant afin de profiter des avantages de la structure dans des configurations tridimensionnelles, et de permettre la métallisation de plus d'un côté de la structure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)