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1. (WO2004059703) CELULLE SRAM FINFET COMPRENANT DES TRANSISTORS FINFET INVERSES EN COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059703    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/040868
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 19.12.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.08.2003    
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
BREITWISCH, Matthew [US/US]; (US) (US Seulement).
NOWAK, Edward, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BREITWISCH, Matthew; (US).
NOWAK, Edward, J.; (US)
Mandataire : WARNICK, Spencer, K.; Hoffman, Warnick & D'Alessandro LLC, Three E-Comm Square, Albany, NY 12207 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FINFET SRAM CELL USING INVERTED FINFET THIN FILM TRANSISTORS
(FR) CELULLE SRAM FINFET COMPRENANT DES TRANSISTORS FINFET INVERSES EN COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit, such as a SRAM cell (130), including an inverted FinFET transistor (P2) and a FinFET transistor (N3). The inverted FinFET transistor includes a first gate region (108) formed by semiconductor structure (100) on a substrate, a first body region comprised of a semiconductor layer (104), having a first channel region (112) disposed on the first gate region and a source (110) and drain (114) formed on either side of the first channel region. The FinFET transistor (N3) is coupled to the inverted FinFET transistor, and includes a second body region formed by the semiconductor structure (102), having a second channel region (118) and a source (116) and drain (120) formed on either side of the second channel region, and a second gate region (122) comprised of the semiconductor layer, disposed on the second channel region.
(FR)L'invention concerne un circuit intégré, tel qu'une cellule SRAM (130), comprenant un transistor FinFET inversé (P2) et un transistor FinFET (N3). Ledit transistor FinFET inversé comprend une première zone grille (108), formée par la structure à semi-conducteur (100) sur un substrat, une première zone corps comprenant une couche semi-conductrice (104), présentant une première zone canal (112), disposée sur la première zone grille et une source (110) et un drain (114) formés sur un côté de la première zone canal. Ledit transistor FinFET (N3) est couplé au transistor FinFET inversé, et comprend une seconde zone corps formée par une structure à semi-conducteur (102), présentant une seconde zone canal (118) et une source (116) et un drain (120) formés sur l'un des côtés de la seconde zone canal, et une seconde zone grille (122) comprenant une couche semi-conductrice, disposée sur la seconde zone canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)