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1. (WO2004059700) ÉLIMINATION DE PHOTORÉSINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059700    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/040439
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 17.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.07.2004    
CIB :
C11D 7/06 (2006.01), C11D 7/32 (2006.01), C11D 7/50 (2006.01), C11D 11/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; Ryann, William, F., 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Inventeurs : MINSEK, David, W.; (US).
MURPHY, Melissa, K.; (US).
BERNHARD, David, D.; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US)
Mandataire : RYANN, William, F.; Advanced Technology Materials, Inc., 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Données relatives à la priorité :
60/434,971 20.12.2002 US
10/389,214 14.03.2003 US
Titre (EN) PHOTORESIST REMOVAL
(FR) ÉLIMINATION DE PHOTORÉSINE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a composition and method for semiconductor processing. In one embodiment, a wet-cleaning composition for removal of photoresist is provided. The composition comprises a strong base; an oxidant; and a polar solvent. In another embodiment, a method for removing photoresist is provided. The method comprises the steps of applying a wet-cleaning composition comprising about 0.1 to about 30 weight percent strong base; about one to about 30 weight percent oxidant; about 20 to about 95 weight percent polar solvent; and removing the photoresist.
(FR)L'invention concerne une composition et un procédé pour le traitement de semi-conducteurs. Un mode de réalisation décrit une composition nettoyante liquide pour l'élimination de la photorésine. Cette composition comprend une base forte ; un oxydant ; et un solvant polaire. Un mode de réalisation décrit un procédé d'élimination de la photorésine. Ce procédé consiste à appliquer une composition nettoyante liquide contenant entre environ 0,1 et environ 30 % en poids d'une base forte, entre environ 1 et environ 30 % en poids d'un oxydant, entre environ 20 et environ 95% en poids d'un solvant polaire, et à éliminer la photorésine.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)