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1. (WO2004059383) FLUORURE CONTENU DANS UN FLUIDE SUPERCRITIQUE POUR L'ENLEVEMENT DE PHOTORESINE ET DE RESIDUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059383    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/040105
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 16.12.2003
CIB :
B08B 7/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : SUPERCRITICAL SYSTEMS INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road, Gilbert, AZ 85223 (US)
Inventeurs : SCHILLING, Paul, E.; (US)
Mandataire : HAVERSTOCK, Thomas, B.; Haverstock & Owens LLP, 162 North Wolfe Road, Sunnyvale, CA 94086 (US)
Données relatives à la priorité :
10/321,341 16.12.2002 US
Titre (EN) FLUORIDE IN SUPERCRITICAL FLUID FOR PHOTORESIST AND RESIDUE REMOVAL
(FR) FLUORURE CONTENU DANS UN FLUIDE SUPERCRITIQUE POUR L'ENLEVEMENT DE PHOTORESINE ET DE RESIDUS
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for removing a residue from a substrate material is disclosed. The method and system utilize a supercritical cleaning solution with an fluoride source to control the concentration of fluoride ions and/or hydrogen fluoride within the supercritical cleaning solution. Preferably, the method and the system utilize a supercritical cleaning solution with supercritical CO2 and an ammonium fluoride salt and/or an organo-ammonium fluoride and/or amine adduct. The supercritical cleaning solution, in accordance with further embodiments, includes one or more acids and one or more carrier solvents. The supercritical cleaning solution of the present invention is capable of removing a residue, such a post-etch photo polymer residue from a semiconductor substrate material by dissolution of the reside, etching a portion of the residue, etching a portion of the substrate material or any combination thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système destinés à enlever un résidu formé sur un substrat. Ce procédé et ce système font appel à une solution de nettoyage supercritique comprenant une source de fluorure destinée à réguler la concentration en ions fluorure et/ou en fluorure d'hydrogène dans la solution de nettoyage supercritique. De préférence, ce procédé et ce système font appel à une solution de nettoyage supercritique comprenant du CO2 et un sel de fluorure d'ammonium et/ou un fluorure d'organo-ammonium et/ou un adduit d'amine. Dans d'autres modes de réalisation, la solution de nettoyage supercritique comprend un ou plusieurs acides et un ou plusieurs solvants de support. La solution de nettoyage supercritique de la présente invention permet d'enlever un résidu, tel qu'un résidu photopolymérique de post-gravure, d'un substrat semi-conducteur par dissolution de ce résidu, par attaque d'une partie de ce résidu, par attaque d'une partie du substrat ou par une combinaison quelconque de ces opérations.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)