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1. (WO2004059333) DISPOSITIF D'EVALUATION ET PROCEDE DE CONCEPTION DE CIRCUIT UTILISE POUR CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059333    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016804
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 25.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.12.2003    
CIB :
G01R 31/26 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (Tous Sauf US).
TANABE, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANABE, Akira; (JP)
Mandataire : HAMADA, Haruo; Wisdom House, 4-12, Minami-Aoyama 3-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-373349 25.12.2002 JP
Titre (EN) EVALUATION DEVICE AND CIRCUIT DESIGN METHOD USED FOR THE SAME
(FR) DISPOSITIF D'EVALUATION ET PROCEDE DE CONCEPTION DE CIRCUIT UTILISE POUR CE DISPOSITIF
(JA) 評価装置及びそれに用いる回路設計方法
Abrégé : front page image
(EN)There is provided an evaluation device capable of measuring the I-V characteristic in the MOSFET AC operation with a high accuracy. There are also provided a circuit design method and a circuit design system used for the evaluation device. In the evaluation device (1), an AC input signal superimposing circuit (11) applies DC voltage to the MOSFET gate/source/drain substrate and superimposes an AC input signal of very small voltage on the gate. An AC component measurement circuit (12) measures an AC component of the current flowing between the source and the drain at that time. A mutual conductance calculation circuit (13) compares the amplitude of the AC component of the current to the amplitude of the AC input signal and calculates, from this ratio, the mutual conductance in the frequency of the AC input signal of the MOSFET.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'évaluation capable de mesurer la caractéristique I-V du fonctionnement en courant alternatif (AC) d'un MOSFET avec une grande exactitude. Cette invention concerne aussi un procédé et un système de conception de circuit utilisé pour ce dispositif d'évaluation (1). Dans ce dispositif d'évaluation (1), un circuit superposant un signal d'entrée AC (11) applique une tension de courant continu (DC) au substrat grille/source/drain du MOSFET et superpose un signal d'entrée AC de très petite tension sur la grille. Un circuit (12) de mesure de composante AC mesure une composante AC du courant s'écoulant entre la source et le drain à ce moment. Un circuit de calcul de conductance (13) réciproque compare l'amplitude de la composante AC du courant avec l'amplitude du signal d'entrée AC et calcule, à partir de ce rapport, la conductance réciproque de la fréquence du signal d'entrée AC de ce MOSFET.
(JA)MOSFETのAC動作でのI−V特性を精度良く測定可能な評価装置及びそれに用いる回路設計方法並びに回路設計システムを提供する。評価装置1において、AC入力信号重畳回路11はMOSFETのゲート・ソース・ドレイン・基板にDC電圧を印加し、ゲートに微小電圧のAC入力信号を重畳する。AC成分測定回路12はその時のソース―ドレイン間に流れる電流のAC成分を測定し、相互コンダクタンス算出回路13は電流のAC成分の振幅とAC入力信号の振幅との比較を行い、この比からMOSFETのAC入力信号の周波数における相互コンダクタンスを求める。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)