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1. (WO2004059042) BOSSE SANS PLOMB ET PROCEDE DE FORMATION DE CETTE BOSSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/059042    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016720
Date de publication : 15.07.2004 Date de dépôt international : 25.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.04.2004    
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 144-8510 (JP)
Inventeurs : SHIMOYAMA, Masashi; (JP).
YOKOTA, Hiroshi; (JP).
KIUMI, Rei; (JP).
KURIYAMA, Fumio; (JP).
SAITO, Nobutoshi; (JP)
Mandataire : WATANABE, Isamu; GOWA Nishi-Shinjuku 4F, 5-8, Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-378010 26.12.2002 JP
Titre (EN) LEAD-FREE BUMP AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) BOSSE SANS PLOMB ET PROCEDE DE FORMATION DE CETTE BOSSE
(JA) 鉛フリーバンプおよびその形成方法
Abrégé : front page image
(EN)A lead-free bump which is formed by reflowing an Sn-Ag based solder alloy plating film having an adjusted Ag concentration; and a method for forming the lead-free bump, which comprises forming an Sn-Ag based alloy plating film having an Ag content lower than that at which Sn-Ag forms an eutectic by means of the metal plating method, and subjecting said alloy plating film to reflowing. The lead-free bump is characterized by containing a suppressed amount of voids.
(FR)L'invention concerne une bosse sans plomb formée par reflux d'un film de placage d'alliage de soudure à base Sn-Ag possédant une concentration régulée d'Ag, et un procédé de formation de bosse sans plomb, comprenant la formation d'un film de placage d'alliage à base de Sn-Ag, possédant une teneur en Ag inférieure à celle pour laquelle Sn-Ag forme un eutectique au moyen du procédé de placage de métal, et soumettant ce film de placage d'alliage à un reflux. La bosse sans plomb est caractérisée en ce qu'elle contient moins de vides.
(JA)本発明は、めっき膜中でのAg濃度を調整したSn−Ag系はんだ合金めっき膜をリフローすることにより得られるボイドの発生が抑制された鉛フリーバンプおよびその形成方法に関する。本発明の鉛フィリーバンプは、Sn−Agの共晶形成濃度より低いAg含量のSn−Ag系合金膜をめっきにより形成し、当該合金めっき膜をリフローすることにより得られる。
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)