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1. (WO2004057673) DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET UTILISATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/057673    N° de la demande internationale :    PCT/IB2003/006109
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 22.12.2003
CIB :
H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND REASEARCH [SG/SG]; 30 Biopolis Street, #09-02, Matrix, Singapore 138668 (SG) (Tous Sauf US).
ROTARU, Mihai, D. [RO/SG]; (SG) (US Seulement).
WEEKAMP, Johannus, W. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : ROTARU, Mihai, D.; (SG).
WEEKAMP, Johannus, W.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Philips Intellectual Property & Standards, Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
02080670.9 23.12.2002 EP
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICE AND USE THEREOF
(FR) DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET UTILISATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)The electronic device (100) comprises a semiconductor element (1) (e.g. a transistor), an encapsulation (5) and an electrically conductive layer (3) with a first and a second contact pad (11,12), used as signal pads, and a third contact pad (13) used as ground pads. Due to the shape of the contact pads (11,12,13), the spacing (200) is continuous, with a small entrance in between of the first and second contact pads (11,12). Consequently, the parasitic inductance is reduced and the device (100) is suitable for use at frequencies below and above 30 GHz, particularly up to 40 GHz.
(FR)L'invention concerne un dispositif électronique (100) qui comprend un élément semi-conducteur (1) (p. ex. transistor), une encapsulation (5) et une couche (3) électriquement conductrice ; une première et une deuxième plages de contact (11,12) sont utilisées comme plages de signal, et une troisième plage de contact (13) comme plage de masse. La forme des plages de contact (11,12,13) permet de produire un espacement (200) continu, et une petite entrée est prévue entre les première et deuxième plages de contact (11,12). L'inductance parasite est ainsi réduite et le dispositif (100) peut être utilisé à des fréquences inférieures ou supérieures à 30 GHz, et pouvant atteindre en particulier 40 GHz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)