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1. (WO2004057669) MASQUE DE GALVANOPLASTIE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ET STRUCTURE METALLIQUE MINCE FABRIQUEE PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/057669    N° de la demande internationale :    PCT/KR2003/002779
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 19.12.2003
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H05K 3/20 (2006.01)
Déposants : KIM, Jeong-Sik [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
GRAPHION TECHNOLOGIES USA, LLC [US/US]; 17112 Armstrong Ave., Irvine, CA (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : KIM, Jeong-Sik; (KR)
Mandataire : SHIN, Young-Moo; 4th Floor, Ace Tower, 1-170 Soonhwa-dong, Chung-gu, Seoul 100-712 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2002-0084669 20.12.2002 KR
10-2002-0085639 21.12.2002 KR
Titre (EN) ELECTRO-FORMING MASTER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METAL MINUTE PATTERN MADE BY IT
(FR) MASQUE DE GALVANOPLASTIE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ET STRUCTURE METALLIQUE MINCE FABRIQUEE PAR CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)An electro-forming master, its manufacturing method, and a metal minute pattern repeatedly formed by the electro-forming master are disclosed. The electro-forming master includes a concave portion formed on an upper surface of an electrode base, and an insulating hetero-material portion is formed by filling an insulating hetero-material in the concave portion, wherein the surface of the insulating hetero-material portion is flush with the surface of the concave portion. The concave portion is formed by an etching process, a mechanical process, or a laser process. The insulating hetero-material portion having foaming property is used. Preferably, the insulating hetero-material portion has elasticity. The insulating hetero-material portion having elasticity includes silicon as a main component. Silicon has elasticity in addition to excellent insulating and hereto characteristics.
(FR)L'invention concerne un masque de galvanoplastie, son procédé de fabrication, et une structure métallique mince réalisée de façon répétée par ce procédé. Le masque de galvanoplastie comprend une partie concave formée sur une surface supérieure d'un support d'électrodes et une partie d'hétéromatériel isolant formée par chargement d'un hétéromatériel dans la partie concave. La surface de l'hétéromatériel isolant affleure la surface de la partie concave. La partie concave est formée par un processus de gravure, un processus mécanique ou un processus laser. La partie d'hétéromatériel isolant présentant des propriétés de moussage est utilisée. De préférence, la partie d'hétéromatériel isolant est élastique. La partie d'hétéromatériel isolant élastique contient du silicium comme élément principal. Le silicium présente des propriétés d'élasticité en sus d'excellentes caractéristiques d'isolation et hétéro.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)