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1. (WO2004057661) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE A GRILLE FRACTIONNEE VERTICALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/057661    N° de la demande internationale :    PCT/IB2003/005502
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 27.11.2003
CIB :
H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
VAN SCHAIJK, Robertus, T., F. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN DUUREN, Michiel, J. [NL/BE]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : VAN SCHAIJK, Robertus, T., F.; (NL).
VAN DUUREN, Michiel, J.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Philips Intellectual Property & Standards, Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
02080428.2 19.12.2002 EP
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY CELL AND METHOD OF FABRICATION
(FR) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE A GRILLE FRACTIONNEE VERTICALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor device comprising a vertical split gate non-volatile memory cell, for storing at least one bit, on a semiconductor substrate, comprising on the substrate a trench, a first active area, a second active area, a channel region extending along a sidewall of the trench, the trench having a length extending in a first direction and a width extending in a second direction perpendicular thereto and the trench being covered on the sidewalls by a tunnel oxide and including at least one gate stack of a floating gate and a control gate, wherein the control gate extends to the bottom part of the trench, a first floating gate is located at a left trench wall to form a first stack with the control gate, and a second floating gate is located at a right trench wall to form a second stack with the control gate.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant une cellule de mémoire non volatile à grille fractionnée verticale, servant à stocker au moins un bit, située sur un substrat semi-conducteur, comprenant également, sur le substrat, une tranchée, une première zone active, une seconde zone active et un canal qui s'étend le long d'une paroi latérale de la tranchée. La tranchée s'étend en longueur dans une première direction et en largeur dans une seconde direction perpendiculaire à la première, et est recouverte, au niveau de ses parois latérales, d'un oxyde tunnel. Le dispositif comprend également au moins une pile de grilles composée d'une grille flottante et d'une grille de commande. Cette grille de commande s'étend vers la partie inférieur de la tranchée. Une première grille flottante, située au niveau d'une paroi gauche de la tranchée, forme une première pile avec la grille de commande, et une seconde grille flottante, située au niveau d'une paroi droite de la tranchée, forme une seconde pile avec la grille de commande.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)