WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004057653) PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION D'UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM DE HAUTE QUALITE, A FAIBLES TEMPERATURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/057653    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/040793
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 19.12.2003
CIB :
C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : WANG, Shulin; (US).
SANCHEZ, Errol, Antonio, C.; (US).
CHEN, Aihua, (Steven); (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
60/435,813 20.12.2002 US
10/327,467 20.12.2002 US
Titre (EN) A METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A HIGH QUALITY LOW TEMPERATURE SILICON NITRIDE LAYER
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION D'UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM DE HAUTE QUALITE, A FAIBLES TEMPERATURES
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a silicon nitride layer is described. According to the present invention, a silicon nitride layer is deposited by thermally decomposing a silicon/nitrogen containing source gas or a silicon containing source gas and a nitrogen containing source gas at low deposition temperatures (e.g., less than 550°C) to form a silicon nitride layer. The thermally deposited silicon nitride layer is then treated with hydrogen radicals to form a treated silicon nitride layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de nitrure de silicium. Selon l'invention, une couche de nitrure de silicium est déposée par décomposition thermique d'un gaz source contenant du silicium/azote ou d'un gaz source contenant du silicium et d'un gaz source contenant de l'azote, à de faibles températures de dépôt (par exemple, inférieures à 550 °C) pour former une couche de nitrure de silicium. La couche de nitrure de silicium thermiquement déposée est ensuite traitée au moyen de radicaux d'hydrogène pour former une couche de nitrure de silicium traitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)