WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004057631) REDUCTION DE LA FORMATION D'EMPILEMENT DE DISLOCATIONS LORS D'UNE EPITAXIE A DISCORDANCE DE RESEAU RELACHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/057631    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/026782
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 28.08.2003
CIB :
C30B 23/00 (2006.01), C30B 25/00 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 28/12 (2006.01), C30B 28/14 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : AMBERWAVE SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 13 Garabedian Drive Salem, NH 03079-4235 (US)
Inventeurs : VINEIS, Christopher, J; (US).
WESTOFF, Richard; (US).
BULSARA, Mayank; (US)
Mandataire : US, Natasha, C.; Goodwin Procter LLP Exchange Place 53 State Street Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/407,331 30.08.2002 US
10/268,425 10.10.2002 US
Titre (EN) REDUCTION OF DISLOCATION PILE-UP FORMATION DURING RELAXED LATTICE-MISMATCHED EPITAXY
(FR) REDUCTION DE LA FORMATION D'EMPILEMENT DE DISLOCATIONS LORS D'UNE EPITAXIE A DISCORDANCE DE RESEAU RELACHE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure including a cap layer formed over a semiconductor substrate having a rough edge, which discourages formation of dislocation pile-up defects.
(FR)Cette invention se rapporte à une structure de semi-conducteur, qui comprend une couche d'encapsulation formée sur un substrat semi-conducteur ayant un bord rugueux, qui décourage la formation de défauts du type empilement de dislocations.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)