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1. (WO2004057359) PROCEDE DE MESURE DE LA MAGNETOSTRICTION DANS DES ELEMENTS MAGNETORESISTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/057359    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/011512
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 17.10.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.06.2004    
CIB :
G01R 33/18 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Pascalstrasse 100, 70569 Stuttgart (DE) (LU only).
GRIMM, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GRIMM, Hubert; (DE)
Mandataire : KAUFFMANN, Wolfgang; IBM Deutschland GmbH, Intellectual Property, 70548 Stuttgart (DE).
TEUFEL, Fritz; IBM Deutschland GmbH, Intellectual Property, 70548 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
02102858.4 20.12.2002 EP
Titre (EN) METHOD FOR MEASURING MAGNETOSTRICTION IN MAGNETORESISTIVE ELEMENTS
(FR) PROCEDE DE MESURE DE LA MAGNETOSTRICTION DANS DES ELEMENTS MAGNETORESISTIFS
Abrégé : front page image
(EN)A method for directly measuring the magnetostriction constant of a magnetoresistive element is provided. The method consists of the following steps: 1) providing a substrate carrying one or more magnetoresistive elements; 2) inserting said substrate into a bending fixture; 3) applying a magnetic DC field parallel to said substrate; 4) applying a magnetic alternating field perpendicular to said substrate and parallel to the magnetoresistive layers of said elements; 5) measuring a signal from said element; 6) applying a mechanical stress parallel to said substrate by bending said substrate; and 7) changing said magnetic DC field until the signal measured before applying said mechanical stress is reached.
(FR)L'invention concerne un procédé de mesure directe de la constante de magnétostriction d'un élément magnétorésistif. Le procédé consiste à: 1) apporter un substrat portant un ou plusieurs éléments magnétorésistifs; 2) insérer ledit substrat dans un appareil fixe de fléchissement; 3) appliquer un champ CC magnétique parallèle audit substrat; 4) appliquer un champ d'alternance magnétique perpendiculaire audit substrat et parallèle aux couches magnétorésistives desdits éléments; 5) mesurer un signal provenant dudit élément; 6) appliquer une contrainte mécanique parallèle audit substrat par fléchissement dudit substrat ; et 7) modifier ledit champ CC magnétique jusqu'à ce que le signal mesuré avant application de ladite contrainte mécanique soit atteint.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)