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1. (WO2004056461) PROCEDE DE PRODUCTION DE NANOPARTICULES UTILISANT UN PROCEDE D'EVAPORATION-CONDENSATION DANS UN SYSTEME DE REACTEUR A ENCEINTE DE PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/056461    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/040246
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 16.12.2003
CIB :
B01J 19/08 (2006.01), B01J 19/26 (2006.01), C01G 23/07 (2006.01)
Déposants : E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street, Wilmington, DE 19898 (US) (Tous Sauf US).
DE LA VEAUX, Stephan, Claude [DE/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Lu [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DE LA VEAUX, Stephan, Claude; (US).
ZHANG, Lu; (US)
Mandataire : SINNOTT, Jessica, M.; E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY, PATENT RECORDS CENTER, 4417 Lancaster Pike, Wilmington, DE 19805 (US)
Données relatives à la priorité :
60/434,158 17.12.2002 US
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING NANOPARTICLES USING A EVAPORATION-CONDENSATION PROCESS WITH A REACTION CHAMBER PLASMA REACTOR SYSTEM
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE NANOPARTICULES UTILISANT UN PROCEDE D'EVAPORATION-CONDENSATION DANS UN SYSTEME DE REACTEUR A ENCEINTE DE PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method and apparatus for the controlled synthesis of nanoparticles using a high temperature process. The reactor chamber includes a high temperature gas heated by means such as a plasma torch, and a reaction chamber. The homogenizer includes a region between the reactant inlets and the plasma (the spacer zone) to ensure that feeds from the reactant inlets are downstream of the recirculation zone induced by the high temperature gas. It also includes a region downstream of the reactant inlets that provides a nearly 1 dimensional (varying only in the axial direction) flow and concentration profile in the reaction zone to produce nanoparticles with narrow size distribution.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil pour la synthèse régulée des nanoparticules par l'utilisation d'un processus à haute température. La chambre du réacteur contient un gaz à haute température, chauffé par un moyen tel qu'une torche à plasma, et une enceinte de réaction. L'homogénéiseur comporte une région entre les admissions de réactif et le plasma (zone d'espacement) afin d'assurer que les alimentations des admissions de réactif sont en aval de la zone de recyclage induite par le gaz à haute température. Il inclut également une région en aval des admissions de réactif qui constitue presque un écoulement unidimensionnel (changeant seulement dans la direction axiale) et un profil de concentration dans la zone de réaction afin de produire des nanoparticules de distribution de taille étroite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)