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1. (WO2004055979) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE R.F. A MULTIPUCES EN PAQUET UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/055979    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/037612
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 24.11.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.07.2004    
CIB :
H01L 23/66 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H03F 3/60 (2006.01)
Déposants : CREE MICROWAVE, INC. [US/US]; 160 Gibraltar Court, Sunnyvale, CA 94089 (US)
Inventeurs : PENGELLY, Raymond, Sydney; (US).
WOOD, Simon, Maurice; (US).
QUINN, John, Phillip; (US)
Mandataire : VILLENEUVE, Joseph, M.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, CA 94612-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
10/318,849 13.12.2002 US
Titre (EN) SINGLE PACKAGE MULTI-CHIP RF POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE R.F. A MULTIPUCES EN PAQUET UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a multi-chip power amplifier comprising a plurality of chips (20-23) with each chip being a transistor amplifier, and a housing (36) in which all of the semiconductor chips are mounted. A plurality of input leads extend into the housing and a plurality of output leads extend from the housing. A plurality of first matching networks (38) couple a semiconductor chip to an input lead and a plurality of second matching networks (40) couple each semiconductor chip to an output lead whereby each chip has its own input lead and output lead. By providing all amplifier chips within a single housing with matching networks within the housing coupling the chips to the input and output leads, manufacturing cost is reduced and the overall package footprint on a mounting substrate is reduced. Further, the close proximity of the chips within the housing reduces phase differences among signals in the semiconductor chips.
(FR)L'invention concerne un amplificateur de puissance à multipuces comprenant une pluralité de puces (20-23) chaque puce consistant en un amplificateur à transistors, et un logement (36) dans lequel toutes les puces à semi-conducteurs sont montées. Une pluralité de fils d'entrée s'étend dans le logement et une pluralité de fils de sortie s'étend depuis le logement. Une pluralité de premiers réseaux d'adaptation (38) relie une puce à semi-conducteurs à un fil d'entrée et une pluralité de seconds réseaux d'adaptation (40) relie chaque puce à semi-conducteurs à un fil de sortie si bien que chaque puce possède son propre fil d'entrée et de sortie. Le fait de disposer toutes les puces d'amplificateur dans un seul logement avec des réseaux d'adaptation dans le logement reliant les puces aux fils d'entrée et de sortie, permet de réduire le coût de fabrication ainsi que tout l'espace occupé par le paquet sur un substrat de fixation. De plus, l'étroite proximité des puces dans le logement permet de réduire des différences de phase entre les signaux des puces à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)