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1. (WO2004055915) MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE A STRUCTURE DE PORES VERTICALE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2004/055915 N° de la demande internationale : PCT/US2003/013360
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 28.04.2003
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : OVONYX, INC.[US/US]; 2956 Waterview Drive Rochester Hills, MI 48309, US
Inventeurs : LOWREY, Tyler, A.; US
Mandataire : TROP, Timothy, N. ; TROP, PRUNER & HU, P.C. 8554 Katy Freeway, Suite 100 Houston, TX 77024, US
Données relatives à la priorité :
10/319,17913.12.2002US
Titre (EN) VERTICAL ELEVATED PORE PHASE CHANGE MEMORY
(FR) MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE A STRUCTURE DE PORES VERTICALE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN) A vertical elevated pore structure for a phase change memory (10) may include a pore (46) with a lower electrode (24, 26) beneath the pore contacting the phase change material (18) in the pore (46). The lower electrode may be made up of a higher resistivity lower electrode (24) and a lower resistivity lower electrode (26) underneath the higher resistivity lower electrode (24). As a result, more uniform heating of the phase change material (18) may be achieved in some embodiments and better contact may be made in some cases.
(FR) L'invention concerne une structure de pores verticale élevée pour une mémoire à changement de phase (10) qui peut comprendre un pore (46) et une électrode inférieure (24, 26) située sous le pore, en contact avec le matériau à changement de phase (18) dans le pore (46). L'électrode inférieure peut être constituée d'une électrode inférieure à résistivité élevée (24) et d'une électrode inférieure à faible résistivité (26) située sous l'électrode inférieure à résistivité élevée (24). En conséquence, il est possible d'obtenir, dans certains modes de réalisation, un réchauffement plus uniforme du matériau à changement de phase (18) ainsi qu'un meilleur contact dans certains cas.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)