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1. (WO2004055901) TRANSISTOR A VANNE DE SPIN A HAUT RENDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/055901    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/050886
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 24.11.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.07.2004    
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : THALES [FR/FR]; 45, rue de Villiers, F-92200 Neuilly-Sur-Seine (FR) (Tous Sauf US).
NGUYEN VAN DAU, Frédéric [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : NGUYEN VAN DAU, Frédéric; (FR)
Mandataire : CHAVERNEFF, Vladimir; Thales Intellectual Property, 31-33, avenue Aristide Briand, F-94117 Arceuil Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
02 15845 13.12.2002 FR
Titre (EN) HIGH PERFORMANCE SPIN-VALVE TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A VANNE DE SPIN A HAUT RENDEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The invention generally relates to the field of spintronics, branch of electronics using magnetic spin properties of electrons. More particularly, the invention relates to the field of spin-valve transistors which can be used in numerous fields of electronics. The invention aims at providing an original arrangement for producing high-level and high-contrast current collectors. The inventive spintronic transistor comprises a semiconductor transmitter, a base forming a spin-valve and a metal collector separated from the base by an insulating deposit. The transmitter/base interface constitutes a Schottky barrier and the base/collector interface constitutes a tunnel-effect barrier.
(FR)Le domaine général de l'invention est celui de la spintronique, domaine de l'électronique utilisant les propriétés magnétiques de spin des électrons. Plus précisément, le domaine de l'invention est celui des transistors à vanne de spin qui peuvent être utilisés dans de nombreux domaines de l'électronique. L'objet de l'invention est de proposer un agencement original permettant d'obtenîr à la fois des courants collecteurs de niveau important et de contraste élevé. Le transistor spintronique selon l'invention comprend un émetteur en semiconducteur, une base faisant vanne de spin et un collecteur métallique séparé de la base par un dépôt isolant. L'interface émetteurlbase constitue une barrière Schottky et l'interface baselcollecteur est une barrière à effet tunnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)