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1. WO2004055874 - PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE A COUCHE EPITAXIALE AU SILICIUM

Numéro de publication WO/2004/055874
Date de publication 01.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/014914
Date du dépôt international 21.11.2003
CIB
C23C 16/458 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
458caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
C30B 25/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
12Porte-substrat ou supports
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
CPC
C23C 16/4586
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4583the substrate being supported substantially horizontally
4586Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Déposants
  • SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • SUKA, Akihiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • NAKASUGI, Tadashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • ARAI, Takeshi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • SUKA, Akihiko
  • NAKASUGI, Tadashi
  • ARAI, Takeshi
Mandataires
  • ARAFUNE, Hiroshi
Données relatives à la priorité
2002-35523906.12.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE A COUCHE EPITAXIALE AU SILICIUM
(JA) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
Abrégé
(EN)
When a silicon epitaxial wafer is produced through vapor phase growth of a silicon epitaxial layer on the major front surface of a semiconductor substrate (W) which has a CVD oxide film formed on the major back surface, a susceptor (20) having a counterbore (21) in which the semiconductor substrate (W) is placed and a hole portion (22) is used. The hole portion (22) is formed on the inner side of the outermost periphery of the counterbore (21) and penetrates through to the back side of the susceptor. The hole portion (22) stays open during the vapor phase growth of the silicon epitaxial layer. The semiconductor substrate (W) is placed in the counterbore (21), having the CVD oxide film face the hole portion (22), and the silicon epitaxial layer is grown on the major front surface of the semiconductor substrate (W) by vapor phase system.
(FR)
L'invention concerne une plaquette à couche épitaxiale au silicium produite par croissance de couche épitaxiale au silicium en procédé CVD sur la surface avant majeure d'un substrat à semiconducteur (W). Un film d'oxyde est formé en procédé CVD sur la surface arrière majeure de ce substrat. Enfin, il existe un suscepteur (20) à épaulement (21) dans lequel prend place le substrat à semiconducteur (W), et un trou (22). Le trou (22) est pratiqué sur le côté interne de la périphérie externe de l'épaulement (21), traversant le côté arrière du suscepteur. Le trou (22) reste ouvert durant la croissance en procédé CVD de la couche épitaxiale au silicium. Le substrat à semiconducteur (W) prend place dans l'épaulement (21), sachant que le film d'oxyde formé en procédé CVD fait face au trou (22), et la couche épitaxiale au silicium est développée sur la surface avant majeure du substrat en semiconducteur (W), en procédé CVD.
(JA)
 主裏面にCVD酸化膜が形成された半導体基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長することによってシリコンエピタキシャルウェーハを製造する場合、内部に半導体基板Wが配置される座ぐり(21)が形成され、座ぐり(21)内の最外周部よりも中心側に、裏面に貫通し、気相成長の際にも開放状態となる孔部(22)が形成されたサセプタ(20)を使用し、孔部(22)にCVD酸化膜が臨むように半導体基板Wを配置して、半導体基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。
Également publié en tant que
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