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1. (WO2004055871) PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANCHES DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/055871    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/015326
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 01.12.2003
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
ICHIKAWA, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWABUCHI, Miho [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ICHIKAWA, Masashi; (JP).
KOBAYASHI, Takeshi; (JP).
IWABUCHI, Miho; (JP)
Mandataire : ISHIHARA, Shoji; No.302, Wakai Bldg., 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-362937 13.12.2002 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOI WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANCHES DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)
(JA) SOIウエーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an SOI wafer with high productivity wherein voids are prevented from occurring during the production of the SOI wafer. In a method for manufacturing an SOI wafer wherein at least one of two raw wafers is provided with an insulating layer and bonded with the other wafer without using an adhesive, wafers having no linear defect on the surfaces are used as the raw wafers. In another method for manufacturing an SOI wafer wherein at least one of two raw wafers is provided with an insulating layer and bonded with the other wafer without using an adhesive, the raw wafers are subjected to a high-temperature heat treatment in advance.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de tranches de silicium sur isolant (SOI), à haut niveau de productivité, qui permet d'éviter la formation de vides au cours du processus de production d'une tranche SOI. Dans un procédé de production de tranches SOI, selon lequel sur deux tranches brutes, au moins une est munie d'une couche isolante et est liée à l'autre, sans adhésif, les tranches brutes utilisées sont des tranches sans défaut linéaire en surface. Dans un autre procédé de production de tranches SOI, selon lequel sur deux tranches brutes, au moins une est munie d'une couche isolante et est liée à l'autre, sans adhésif, les tranches brutes sont soumises au préalable à un traitement thermique haute température.
(JA)本発明は、SOIウエーハを製造する際にボイドの発生を抑え、生産性の高いSOIウエーハの製造方法を提供する。本発明は、2枚の原料ウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハに絶縁層を形成し、他方のウエーハと接着剤を用いずに貼り合わせるSOIウエーハの製造方法において、該原料ウエーハとしてウエーハ表面に線状欠陥が零個であるウエーハを用いるようにした。また、2枚の原料ウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハに絶縁層を形成し、他方のウエーハと接着剤を用いずに貼り合わせるSOIウエーハの製造方法において、該原料ウエーハをあらかじめ高温熱処理するようにした。
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)