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1. (WO2004055830) RECUPERATION D'ERREURS POUR MEMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/055830    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/039271
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 09.12.2003
CIB :
G11C 29/50 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 140 Caspian Court, Sunnyvale, CA 94089 (US)
Inventeurs : TU, Loc; (US).
CHEN, Jian; (US)
Mandataire : PARSONS, Gerald, P.; Parsons Hsue & De Runtz LLP, 655 Montgomery Street, Suite 1800, San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
10/318,621 12.12.2002 US
Titre (EN) ERROR RECOVERY FOR NONVOLATILE MEMORY
(FR) RECUPERATION D'ERREURS POUR MEMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)An error recovery technique is used on marginal nonvolatile memory cells. A marginal memory cell is unreadable because it has a voltage threshold (VT) of less than zero volts. By biasing adjacent memory cells, this will shift the voltage threshold of the marginal memory cells, so that it is a positive value. Then the VT of the marginal memory cell can be determined. The technique is applicable to both binary and multistate memory cells.
(FR)L'invention concerne une technique de récupération d'erreurs utilisée sur des cellules de mémoire non volatile marginales. Une cellule de mémoire marginale ne peut pas être lue, parce qu'elle possède un seuil de tension (VT) inférieur à zéro volt. La polarisation des cellules de mémoire adjacentes permet de déplacer le seuil de la tension des cellules de mémoire marginales, de manière à obtenir une valeur positive. Puis, la tension de la cellule de mémoire marginale peut être déterminée. Cette technique est applicable aux cellules de mémoire binaires et à plusieurs états.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)