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1. (WO2004055800) SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/055800    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/015832
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 11.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.06.2004    
CIB :
G11B 7/257 (2006.01), G11B 7/26 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAUE, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGATA, Ken'ichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAUE, Yoshitaka; (JP).
NAGATA, Ken'ichi; (JP)
Mandataire : KAWAMIYA, Osamu; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-362046 13.12.2002 JP
Titre (EN) OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 光学的情報記録媒体およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Multilayer recording media having a titanium oxide layer formed by a single-wafer sputtering system have suffered from large variations in the transmittance due to variations in film thickness of the titanium oxide. In a multilayer recording medium having a titanium oxide layer according to the present invention, a second dielectric layer which is composed of or mainly contains a titanium oxide is formed on a first dielectric layer which is composed of or mainly contains a niobium oxide or a silicon oxide. When a single-wafer sputtering system is used, the system is provided with at least one chamber between a load lock chamber and a chamber in which a transmittance adjusting layer is formed for accelerating degasification of water and oxygen from a substrate.
(FR)L'invention concerne des supports d'enregistrement multicouches comprenant une couche d'oxyde de titane formée à l'aide d'un système de pulvérisation à un seul disque, présentant de grandes variations de transmittance dues aux variations d'épaisseur du film de l'oxyde de titane. Dans un support d'enregistrement multicouche comprenant une couche d'oxyde de titane selon la présente invention, une seconde couche diélectrique composée de ou contenant principalement un oxyde de titane est formée sur une première couche diélectrique composée de ou contenant principalement un oxyde de niobium ou un oxyde de silicium. Lorsqu'on utilise un système de pulvérisation à un seul disque, le système comprend au moins une chambre entre une chambre de verrouillage de charge et une chambre dans laquelle une couche de réglage de la transmittance est formée pour accélérer la dégazéification de l'eau et de l'oxygène d'un substrat.
(JA)多層記録媒体において、枚葉式スパッタ装置を用い酸化チタン層を形成した場合、酸化チタンの膜厚バラツキにより透過率に大きなバラツキが生じる。そこで、本発明では酸化チタン層を有する多層記録媒体において、酸化チタンあるいは酸化チタンを主成分とした第2の誘電体層を酸化ニオブ、酸化ケイ素あるいはそれらを主成分とした第1の誘電体層上に形成する。また、枚葉式スパッタ装置を用いる場合、ロードロック室と透過率調整層を形成するチャンバーとの間に基板からの水および酸素の脱ガスを促進するためのチャンバーを少なくとも1室設ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)