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1. (WO2004055598) COMPOSITION DE PHOTORESINE A BASE SILICONEE A AMPLIFICATION CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/055598    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/015344
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 01.12.2003
CIB :
C08G 77/04 (2006.01), C08L 83/06 (2006.01)
Déposants : TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-0012 (JP) (Tous Sauf US).
HIRAYAMA, Taku [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Tomotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWANA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAMURA, Kouki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Kazufumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIRAYAMA, Taku; (JP).
YAMADA, Tomotaka; (JP).
KAWANA, Daisuke; (JP).
TAMURA, Kouki; (JP).
SATO, Kazufumi; (JP)
Mandataire : AGATA, Akira; Agata Patent Office, 3rd Floor, Ikeden Building, 12-5, Shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-350563 02.12.2002 JP
2003-46611 24.02.2003 JP
2003-190618 02.07.2003 JP
Titre (EN) CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE SILICONE BASE POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE PHOTORESINE A BASE SILICONEE A AMPLIFICATION CHIMIQUE
(JA) 化学増幅型シリコーン系ポジ型ホトレジスト組成物
Abrégé : front page image
(EN)A chemical amplification type silicone base positive resist composition that can be produced from easily procurable compounds as raw materials through simple means and can provide a bilayer resist material from which fine pattern of high resolution, high aspect ratio, desirable sectional morphology and low line edge roughness can be formed. In particular, a chemical amplification type positive resist composition comprising alkali soluble resin (A) and photoacid generator (B) wherein a ladder type silicone copolymer comprising (hydroxyphenylalkyl)silsesquioxane units (a1), (alkoxyphenylalkyl)silsesquioxane units (a2) and alkyl- or phenylsilsesquioxane units (a3) is used as the alkali soluble resin (A). The copolymer wherein in the component (A), the units (a3) are phenylsilsesquioxane units is a novel compound.
(FR)La présente invention concerne une composition de photorésine à base siliconée à amplification chimique pouvant se produire à partir de composés facilement disponibles sous forme de matériaux bruts en utilisant des moyens simples. On peut ainsi obtenir un matériau de photorésine bi-couche acceptant des tracés de haute résolution, de rapport d'aspect élevé, de morphologie en coupe intéressante, et à faible rugosité des bords de ligne. L'invention concerne plus particulièrement une composition de photorésine à amplification chimique comprenant une résine soluble en solution alcaline (A) et un générateur photo-acide (b). Dans cette composition, un copolymère de silicone en échelle comprenant des unités (hydroxyphénylalkyl)silsesquioxane (a1), des unités (alcoxyphénylalkyl)silsesquioxane (a2) et des unités alkyl- ou phénylsilsesquioxane units (a3) sert de résine soluble en solution alcaline (A). Le copolymère dans lequel, dans le composant (A), les unités (a3) sont des unités phénylsilsesquioxane est un nouveau composé.
(JA) 容易に入手可能な化合物を原料として簡単な手段で製造可能であって、これを用いた二層レジスト材料により、高解像度で高アスペクト比、良好な断面形状、小さいラインエッジラフネスの微細パターンを形成しうる化学増幅型ポジ型シリコーン系ポジ型レジスト組成物を提供する。(A)アルカリ可溶性樹脂及び(B)光酸発生剤を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物において、(A)アルカリ可溶性樹脂として、(a)(ヒドロキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位、(a)(アルコキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位及び(a)アルキル又はフェニルシルセスキオキサン単位を含んでなるラダー型シリコーン共重合体を用いる。上記(A)成分において(a)単位がフェニルシルセスキオキサン単位である共重合体は新規化合物である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)