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1. (WO2004054931) TITANATE DE BARYUM ET ELEMENTS ELECTRONIQUES COMPRENANT CE MATERIAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2004/054931 N° de la demande internationale : PCT/JP2003/016278
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 18.12.2003
CIB :
C01G 23/00 (2006.01)
Déposants : SHIRAKAWA, Akihiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
YOKOUCHI, Hitoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHOWA DENKO K. K.[JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8518, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : SHIRAKAWA, Akihiko; JP
YOKOUCHI, Hitoshi; JP
Mandataire : AOKI, Atsushi ; A. Aoki, Ishida & Associates Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 105-8423, JP
Données relatives à la priorité :
2002-36729318.12.2002JP
2003-04652524.02.2003JP
2003-38484214.11.2003JP
60/437,31502.01.2003US
Titre (EN) BARIUM TITANATE AND ELECTRONIC PARTS USING THE MATERIAL
(FR) TITANATE DE BARYUM ET ELEMENTS ELECTRONIQUES COMPRENANT CE MATERIAU
Abrégé :
(EN) A barium titanate, which is single crystal in the form of particles, said particles comprising particles without a void having a diameter of 1 nm or more in an amount of 20% or more by number of the total particles. A dielectric material comprising the barium titanate as well as a capacitor comprising the dielectric material.
(FR) La présente invention se rapporte à du titanate de baryum qui est un monocristal sous forme particulaire constitué de particules comprenant des particules sans vide d'un diamètre au moins égal à 1 nm selon une quantité au moins égale à 20% du nombre total de particules. Cette invention concerne également un matériau diélectrique comprenant le titanate de baryum ainsi qu'un condensateur comprenant le matériau diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)