A variable attenuator (400) is disclosed, the attenuator (400) having an input terminal (402) and an output terminal (414). The attenuator comprises at least one FET (420) presenting an impedance to an input signal flowing from the input terminal (402) to the output terminal (414), wherein the impedance is dependent upon a control signal applied to a gate terminal (422) of the FET (420). The attenuator (400) has bias means adapted to establish a positive drain-source bias (438) of the FET (420), thereby biasing the FET (420) in a linear range of the drain-source characteristic and improving inter-modulation characteristics of the attenuator (400).

L'invention porte sur un atténuateur variable (400) muni d'une borne d'entrée (402) et d'une borne de sortie (414) et comprenant au moins une FET (420) présentant une impédance vis-à-vis d'un signal d'entrée passant de la borne d'entrée (402) à la borne de sortie (414). Ladite impédance dépend d'un signal de commande appliqué à la borne de grille (422) du FET (420). L'atténuateur (400) comporte un moyen de polarisation établissant une polarisation positive drain-source (438) du FET (420), et donc polarisant le FET (420) sur une plage linéaire de la caractéristique drain-source, et améliorant les caractéristiques d'intermodulation de l'atténuateur (400).