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1. WO2004008500 - PROCEDE DE PROTECTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE PROTECTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2004/008500
Date de publication 22.01.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/008786
Date du dépôt international 10.07.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.02.2004
CIB
H03K 17/08 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H03K 17/082 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
082par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H02H 5/044
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
5Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
04responsive to abnormal temperature
044using a semiconductor device to sense the temperature
H03K 17/0822
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0822in field-effect transistor switches
H03K 2017/0806
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
0806against excessive temperature
Déposants
  • YAZAKI CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • OSHIMA, Shunzou [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • OSHIMA, Shunzou
Mandataires
  • OGURI, Shohei
Données relatives à la priorité
2002-20472912.07.2002JP
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF PROTECTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROTECTION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
(FR) PROCEDE DE PROTECTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE PROTECTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
Abrégé
(EN) A protection apparatus for a semiconductor device includes a DC power source (VB), a load/RL), a semiconductor device arranged between the DC power source and the load and switches the load between a driving state and a stopping state, a comparator (MP1) comparing a voltage drop across the semiconductor device with a predetermined reference voltage, and a cut off unit cutting a conduction of the semiconductor device between the DC power source and the load when the voltage drop is greater than the predetermined reference voltage. A constant of the circuit element is set so that the reference voltage is not greater than a critical voltage. The critical voltage is a product of the on-resistance of the semiconductor device when its channel temperature is at an upper limit of the permissible temperature, and a minimum current value which causes the channel temperature to reach the upper limit of the permissible temperature by the self-heating due to Joule heat.
(FR) L'invention concerne un appareil de protection d'un dispositif semi-conducteur comprenant une source d'alimentation CC, une charge, un dispositif semi-conducteur agencé entre la source d'alimentation CC et la charge et faisant commuter la charge entre un état d'entraînement et un état d'arrêt, un comparateur de chute de tension à travers le dispositif semi-conducteur avec tension de référence déterminée, et une unité de coupure supprimant la conduction du dispositif semi-conducteur entre la source d'alimentation CC et la charge lorsque la chute de tension est supérieure à la tension de référence. Une constante de l'élément de circuit est réglée de façon que la tension de référence ne soit pas plus élevée qu'une tension critique. La tension critique est représentée par le produit de la résistance à l'état passant du dispositif semi-conducteur quand sa température de canal se trouve à une limite supérieure de la température admissible, et d'un valeur minimale de courant pour laquelle la température de canal atteint la valeur limite de température admissible en raison de l'effet Joule.
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