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1. WO2004004007 - PROTECTION CONTRE LA SURTENSION

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Numéro de publication WO/2004/004007
Date de publication 08.01.2004
N° de la demande internationale PCT/GB2003/002803
Date du dépôt international 30.06.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 18.12.2004
CIB
H01L 27/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/861 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
86commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861Diodes
H01L 29/87 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
86commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861Diodes
87Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement
CPC
H01L 27/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
0251for MOS devices
0259using bipolar transistors as protective elements
0262including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base coupled to the collector of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
H01L 29/861
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
H01L 29/87
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
87Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
Déposants
  • BOURNS LTD [GB]/[GB] (AllExceptUS)
  • SMITH, Jeremy, Paul [GB]/[GB] (UsOnly)
  • BYATT, Stephen, Wilton [GB]/[GB] (UsOnly)
Inventeurs
  • SMITH, Jeremy, Paul
  • BYATT, Stephen, Wilton
Mandataires
  • HALLAM, A., V.
Données relatives à la priorité
0215089.429.06.2002GB
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) OVERVOLTAGE PROTECTION
(FR) PROTECTION CONTRE LA SURTENSION
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Abrégé
(EN) A semiconductor component (200) is suitable for limiting transient voltages on the supply lines (42, 44) of a system having at least three supply lines, one of the supply lines being a current sink. The semiconductor comprises: at least three input means (30) for connection to respective ones of the supply lines; and for each input means, a respective overvoltage-triggered semiconductor protection unit (10'). Each protection unit comprises a multi junction diode which has a threshold voltage at which it changes from a high-impedance state to a low-impedance state and a respective further diode connected in shunt with it and in the opposite sense to it. Each multi- junction diode is connected in the same sense between a respective input means (30) and a common terminal (32); and each protection unit is adapted to use a lateral turn on current. A shielding diffusion (50) is provided between adjacent protection units (10') for blocking lateral current flow between the adjacent protection units (10').
(FR) L'invention concerne un composant à semi-conducteurs (200) conçu pour limiter les tensions transitoires sur les lignes d'alimentation (42, 44) d'un système présentant au moins trois lignes d'alimentation, une des lignes étant un écoulement de courant. Ledit semi-conducteur comprend : au moins trois dispositifs d'entrée (30) destinés à connecter les lignes d'alimentation respectives ; et pour chaque moyen d'entrée, une unité (10') de protection des semi-conducteur déclenchée lors d'une surtension. Chaque unité de protection comprend une diode multijonction qui présente une tension de seuil pour laquelle elle varie d'un état à haute impédance à un état à faible impédance. Lesdites unités comprennent de plus une diode supplémentaire connectée en parallèle avec l'autre diode dans le sens opposé. Chaque diode est connectée dans le même sens entre un dispositif d'entrée (30) respectif et un terminal commun (32). Chaque unité de protection est conçue pour être utilisée avec une mise sous tension latérale de courant. Une diffusion de protection (50) est prévue entre des unités de protection adjacentes (10') et permet le blocage du courant latéral entre des unités de protection adjacentes (10').
Documents de brevet associés
US20040031969
AU2003244816
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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