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1. WO2004001850 - STRUCTURE DE CIRCUIT INTEGRE POUR CIRCUITS ET APPLICATIONS RF A SIGNAUX MELANGES

Numéro de publication WO/2004/001850
Date de publication 31.12.2003
N° de la demande internationale PCT/US2003/016286
Date du dépôt international 21.05.2003
CIB
H01L 21/8249 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8248Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ
8249Technologie bipolaire et MOS
H01L 27/06 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/08 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
CPC
H01L 21/8249
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8248Combination of bipolar and field-effect technology
8249Bipolar and MOS technology
H01L 23/5227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5227Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
H01L 27/0617
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
H01L 27/0635
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0635in combination with bipolar transistors and diodes, or resistors, or capacitors
H01L 27/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
H01L 27/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
Déposants
  • MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US]/[US]
Inventeurs
  • HUANG, Wen-Ling, M.
  • KIRCHGESSNER, James
  • MONK, David
Mandataires
  • GODDARD, Patricia, S.
Données relatives à la priorité
10/178,67224.06.2002US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FOR MIXED-SIGNAL RF APPLICATIONS AND CIRCUITS
(FR) STRUCTURE DE CIRCUIT INTEGRE POUR CIRCUITS ET APPLICATIONS RF A SIGNAUX MELANGES
Abrégé
(EN) An integrated circuit (12) that supports digital circuits (4), analog circuits(6), and RF circuits (8) on a single IC. Digital CMOS circuitry lies on a low resistivity layer (16) that provides good latch-up qualities and allows for dense PAD I/O. Analog CMOS circuitry rests on an isolated well region (20) on a highly resistive layer (14) in order to minimize signal crosstalk through the substrate. Analog BJT devices also sit on a highly resistive region (14) within its own well structure (20) in order to minimize parasitic capacitances and provide for high frequency device switching. RF passive elements, such as inductors and capacitors, rest on a highly resistive region (14) in order to minimize signal losses that especially occur at high frequencies. RF active components rest on a highly resistive region to maximize device performance.
(FR) L'invention concerne un circuit intégré (12) comportant des circuits numériques (4), des circuits analogiques (6) et des circuits RF (8) sur un seul CI. Des circuits CMOS numériques sont prévus sur une couche de faible résistivité (16) qui confère des bonnes qualités de déclenchement parasite et permet une E/S PAD dense. Les circuits CMOS analogiques se trouvent sur une zone de puits isolée (20), sur une couche hautement résistive (14), si bien que la diaphonie dans le substrat est réduite au minimum. Des dispositifs BJT analogiques sont également prévus sur une zone hautement résistive (14) se trouvant dans sa propre structure de puits (20), si bien que les capacités parasites sont minimisées et qu'une commutation des dispositifs haute fréquence est assurée. Des éléments passifs RF, tels que des bobines d'inductance et des condensateurs, se trouvent sur une zone hautement résistive (14), si bien que les pertes de signaux survenant particulièrement à hautes fréquences sont minimisées. Des composants actifs RF se trouvent sur une zone résistive, si bien que le rendement des composants est maximisé.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international