(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Füllung von Graben- und Reliefgeometrien in Halbleiterstrukturen. Durch die Erfindung soll ein Verfahren zur Füllung von Graben- und Reliefstrukturen in Halbleiterstrukturen geschaffen werden, mit dem das Entstehen von Voids sicher vermieden werden kann und das einfach und kostengünstig realisierbar ist. Gelöst wird die Aufgabe dadurch, dass die Graben- und Reliefstrukturen in einem ersten Abscheideprozess mit einer ersten primären Füllschicht (2) mit hoher Konformität und minimaler Rauhigkeit beschichtet werden, dass nachfolgend eine bis in eine vorgegebene Tiefe der Grabenstruktur gehende V-Ätzung zur Erzeugung eines V-Profiles vorgenommen wird und dass eine zweite primäre Füllschicht (3) mit hoher Konformität und minimaler Rauhigkeit abgeschieden wird, bis die Graben- und Reliefstruktur vollständig geschlossen ist.
(EN) The invention relates to a method for filling trench and relief geometries in semiconductor structures. The aim of the invention is to create a method for filling trench and relief structures in semiconductor structures, which is simple and cheap to carry out and by which means the creation of voids can be reliably avoided. To this end, the trench and relief structures are coated, in a first deposition process, with a first primary filling layer (2) with high conformity and minimum roughness; etching is carried out in a V-shape until a pre-determined depth of the trench structure is achieved, in order to produce a V-shaped profile; and a second primary filling layer (3) with high conformity and minimum roughness is deposited until the trench and relief structure is fully closed.
(FR) L'invention concerne un procédé de remplissage de tranchées et de reliefs dans des structures de semi-conducteur. L'objectif de l'invention est de créer un procédé de remplissage de tranchées et de reliefs dans des structures de semi-conducteur qui permette d'éviter de façon sure la formation de vides et qui puisse être mises en oeuvre simplement et de façon peu coûteuse. Cet objectif est atteint par le fait que les tranchées et les reliefs sont pourvus, selon un premier procédé de dépôt, d'une première couche de remplissage primaire (2) d'une grande conformité et d'une rugosité minimale, qu'ensuite on procède à une attaque en V, jusqu'à une profondeur prédéterminée des tranchées, pour produire un profil en V, et qu'une seconde couche de remplissage primaire (3), présentant une conformité élevée et une rugosité minimale, est déposée jusqu'à ce que les tranchées et les reliefs soient complètement fermés.