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1. WO2003103021 - PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE SURVEILLER UN DEPOT DE FILM DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT

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Numéro de publication WO/2003/103021
Date de publication 11.12.2003
N° de la demande internationale PCT/US2003/015392
Date du dépôt international 29.05.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 19.12.2003
CIB
H01L 21/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
C23C 16/4407
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4407Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
C23C 16/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
52Controlling or regulating the coating process
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • FORDEMWALT, Jim, N. [US]/[US] (UsOnly)
  • STRANG, Eric, J. [US]/[US] (UsOnly)
  • FINK, Steven, T. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • FORDEMWALT, Jim, N.
  • STRANG, Eric, J.
  • FINK, Steven, T.
Mandataires
  • CASEY, Michael, R.
Données relatives à la priorité
60/383,62529.05.2002US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING FILM DEPOSITION IN A PROCESS CHAMBER
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE SURVEILLER UN DEPOT DE FILM DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT
front page image
Abrégé
(EN) An apparatus for monitoring film deposition on a chamber wall in a process chamber. The apparatus includes a surface acoustic wave device provided on the chamber wall. The surface acoustic wave device is actuated to achieve a resonance frequency, and the resonance frequency produced is detected to determine whether a critical thickness of film on the wall of the chamber has been achieved, where an amount of decrease in the resonance frequency is proportional to a thickness of film on the chamber wall. The process chamber is cleaned when the resonance frequency detected falls within a first predetermined range.
(FR) L'invention concerne un appareil permettant de surveiller le dépôt de film sur une paroi d'une chambre de traitement. L'appareil comprend un dispositif à ondes acoustiques de surface placé sur la paroi de la chambre. Le dispositif à ondes acoustiques de surface est activé de manière à obtenir une certaine fréquence de résonance et la fréquence de résonance produite est détectée de manière à déterminer si une épaisseur critique du film sur la paroi de la chambre a été produite, une baisse dans la fréquence de résonance étant proportionnelle à l'épaisseur du film sur la paroi de la chambre. La chambre de traitement est nettoyée quand la fréquence de résonance détectée se situe dans une première gamme prédéterminée.
Documents de brevet associés
US20050235917
CN1656600
AU2003248526
JP2005527985
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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