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1. (WO2003090290) ELEMENT A EFFET DE RESISTANCE MAGNETIQUE, TETE MAGNETIQUE EN COMPORTANT, MEMOIRE MAGNETIQUE, ET ENREGISTREUR MAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090290    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004136
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 31.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.08.2003    
CIB :
G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/00 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
SUGITA, Yasunari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ODAGAWA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUKAWA, Nozomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGITA, Yasunari; (JP).
ODAGAWA, Akihiro; (JP).
MATSUKAWA, Nozomu; (JP)
Mandataire : IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-6026 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-119831 22.04.2002 JP
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD COMPRISING IT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC RECORDER
(FR) ELEMENT A EFFET DE RESISTANCE MAGNETIQUE, TETE MAGNETIQUE EN COMPORTANT, MEMOIRE MAGNETIQUE, ET ENREGISTREUR MAGNETIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A magnetoresistance effect element comprises a multilayered film structure including a tunnel insulating layer (3) and a pair of magnetic layers (1 and 2) stacked via the tunnel insulating layer (3) and has different resistance values with relative angles in the magnetizing direction belonging to both magnetic layers (1 and 2). At least one of the magnetic layers (1 and 2) includes a magnetic film (4) having a coefficient of thermal expansion less than the sum value of the coefficient of thermal expansion of the tunnel insulating layer (3) and 2 × 10-6/K. A magnetoresistance effect element of such a structure provides an excellent heat resistance. The use of this magnetoresistance element enables a magnetic head excellent in heat resistance, a magnetic memory, and a magnetic recorder.
(FR)La présente invention a trait à un élément à effet de résistance magnétique comportant une structure de films multicouches comprenant une couche isolante de type tunnel (3) et un couple de couches magnétiques (1 et 2) empilées via la couche isolante de type tunnel (3) et présente différentes valeurs de résistance à des angles relatifs dans la direction d'aimantation appartenant aux deux couches magnétiques (1 et 2). Au moins une des couches magnétiques (1 et 2) comprend un film magnétique (4) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à la valeur de la somme du coefficient de dilatation thermique de la couche isolante de type tunnel (3) et 2 x 10-6/K. Un élément à effet de résistance magnétique présentant une telle structure assure une excellente tenue à la chaleur. L'utilisation d'un tel élément de résistance magnétique permet d'obtenir une tête magnétique à excellente tenue à la chaleur, une mémoire magnétique et un enregistreur magnétique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)