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1. (WO2003090272) TECHNIQUES DE FORMATION CHIMIQUE DE COUCHES DE FILM MINCE A L'AIDE DE PROCESSUS THERMIQUES RAPIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090272    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/010196
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 03.04.2003
CIB :
C23C 14/48 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Inventeurs : DOWNEY, Daniel, F.; (US)
Mandataire : MCCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
10/122,823 15.04.2002 US
Titre (EN) METHODS FOR THE FORMATION OF THIN FILM LAYERS USING SHORT-TIME THERMAL PROCESSES
(FR) TECHNIQUES DE FORMATION CHIMIQUE DE COUCHES DE FILM MINCE A L'AIDE DE PROCESSUS THERMIQUES RAPIDES
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for forming a thin film layer of a substrate (200). The method includes the steps of forming a thin surface layer (210) containing a dopant material on the substrate, and short-time thermal processing of the doped surface layer with processing parameters selected to produce a reaction between the surface layer and the dopant material to form a dielectric film, a metal film or a silicide film. In one embodiment, short-time thermal processing is implemented by flash rapid thermal processing (222) of the doped surface layer. In another embodiment, short-time thermal processing is implemented by sub-melt laser processing (300) of the doped surface layer. The process may be used for forming dielectric layers having a thickness of 50 angstroms or less.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de film mince d'un substrat. Ce procédé comprend les étapes qui constituent à former une couche de surface mince renfermant un matériau dopant sur le substrat. Il consiste ensuite à effectuer un traitement thermique rapide de la couche de surface dopée avec des paramètres de traitement sélectionnés pour produire une réaction entre la couche de surface et le matériau dopant afin de former un film diélectrique, un film de métal ou un film de siliciure. Selon un mode de réalisation, un traitement thermique rapide est mis en oeuvre par traitement thermique par vaporisation instantanée de la couche de surface dopée. Selon un autre mode de réalisation, un traitement thermique rapide est mis en oeuvre par traitement au laser de sous-fusion de la couche de surface dopée. Ce procédé peut être utilisé pour former des couches diélectriques inférieures ou égales à 50 angstroms d'épaisseur.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)