WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003090268) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090268    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/005032
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 21.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.11.2003    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
AOYAMA, Shintaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IGETA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHINRIKI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : AOYAMA, Shintaro; (JP).
IGETA, Masanobu; (JP).
SHINRIKI, Hiroshi; (JP)
Mandataire : SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-117930 19.04.2002 JP
Titre (EN) METHOD OF TREATING SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method of treating a substrate surface so as to form an oxynitride film on a surface of silicon substrate. The surface of silicon substrate is irradiated with ultraviolet rays in the absence of oxygen to thereby remove carbon from the surface of silicon substrate. Thereafter, NO gas is fed onto the surface of silicon substrate in an ultraviolet radical substrate treating unit, and an ultraviolet source is operated so that the NO gas is activated by ultraviolet rays whose wavelength is greater than 145 nm but not greater than 192 nm. Thus, direct oxynitriding of the surface of silicon substrate is carried out.
(FR)La présente invention a trait à un procédé destiné au traitement de la surface d'un substrat en vue de la formation d'une couche d'oxynitrure à la surface d'un substrat de silicium. On irradie la surface du substrat de silicium avec des rayons ultraviolets en l'absence d'oxygène afin d'enlever du carbone de la surface du substrat de silicium. Ensuite, on alimente de l'azote gazeux sur la surface du substrat de silicium dans une unité de traitement radicalaire de substrat au rayonnement ultraviolet, et on opère une source de rayonnement ultraviolet de sorte que l'azote gazeux soit activé par les rayons ultraviolets dont la longueur d'onde est supérieure à 145 nm mais égale ou inférieure à 192 nm. Ainsi on effectue une oxynitruration directe de la surface de substrat de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)