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1. (WO2003090266) PROCEDES DE FABRICATION DE DISPOSITIFS ET DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE ET MATERIEL ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090266    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/005055
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 21.04.2003
CIB :
H01L 21/208 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163-0811 (JP)
Inventeurs : YUDASAKA, Ichio; (JP).
SHIMODA, Tatsuya; (JP).
FURUSAWA, Masahiro; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; Shiga International Patent Office, 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 104-8453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-119850 22.04.2002 JP
Titre (EN) METHODS OF MANUFACTURING THIN-FILM DEVICE AND TRANSISTOR, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) PROCEDES DE FABRICATION DE DISPOSITIFS ET DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, DISPOSITIF ELECTRO-OPTIQUE ET MATERIEL ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method for forming a thin-film device having multiple layers on a base material, comprising the step of forming at least one layer of the plurality of layers, the step characterized by further comprising the steps of moving the relative position of a nozzle for jetting liquid material containing the components of the one layer to the base material and jetting the liquid material from the nozzle toward the base material, wherein the liquid material is jetted from the nozzle in a film forming chamber (110) to apply the liquid material on the base material so as to form a thin-film, and the base material is heat-treated in a first heat treating part (103A) and a second heat treating part (103B), whereby the crystallization and compactness of the film and the adhesion of the film to the other film can be increased.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication permettant de fabriquer un dispositif en couches minces comportant de multiples couches sur un matériau de base. Ce procédé comprend une étape consistant à former au moins une des couches, laquelle étape se caractérise en ce qu'elle consiste également à déplacer la position relative d'une buse servant à gicler un matériau liquide contenant les composants de cette couche sur le matériau de base et à gicler le matériau liquide de la buse en direction du matériau de base, lequel matériau liquide est giclé de la buse dans une chambre (110) de formation de films de sorte que le matériau liquide soit appliqué sur le matériau de base afin qu'on obtienne une couche mince. Le matériau de base subit ensuite un traitement thermique dans une première unité (103A) de traitement thermique puis dans une seconde unité (103B) de traitement thermique, ce qui accroît la cristallisation et la compacité de la couche ainsi que l'adhérence de la couche sur une autre couche.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)