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1. (WO2003090232) MEMOIRE NON VOLATILE ET PROCEDE PERMETTANT SA LECTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090232    N° de la demande internationale :    PCT/DE2003/001279
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 16.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.11.2003    
CIB :
G11C 7/06 (2006.01), G11C 7/12 (2006.01), G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
PIOREK, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
VON DAAK, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEDER, Uwe [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : PIOREK, Thomas; (DE).
VON DAAK, Matthias; (DE).
WEDER, Uwe; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102 17 870.4 22.04.2002 DE
Titre (DE) NICHT FLÜCHTIGER SPEICHER UND VERFAHREN ZUM AUSLESEN DESSELBEN
(EN) NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD FOR READING OUT THEREFROM
(FR) MEMOIRE NON VOLATILE ET PROCEDE PERMETTANT SA LECTURE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen nichtflüchtigen Speicher mit zumindest einer Speicherzelle (SZ), die mittels Wort-, Bit- und Source-Leitungen zum Beschreiben, Auslesen und Löschen ansprechbar ist, und mit zumindest einer Auswerteeinrichtung (AW), die mit der Speicherzelle (SZ) gekoppelt ist und beim Anlegen einer Lesespannung an die Begleitung durch Detektion des durch die Speicherzelle (SZ) fließenden Stromes den Inhalt der Speicherzelle (SZ) auswertet. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, die Auswerteeinrichtung (AW) mit einer Vorrichtung (SE) zu versehen, durch die das Auslesen der Speicherzelle in zwei Schritten erfolgt, so daß die Lesespannung nur während des Lesevorganges anliegt.
(EN)The invention relates to a non-volatile memory comprising at least one memory location (SZ), which can be accessed by word, bit and source lines in order to write, read-out, and delete, and comprising at least one evaluating device (AW), which is coupled to the memory location (SZ) and which, when a reading voltage is applied to the bit line, evaluates the contents of the memory location (SZ) by detecting the current flowing through the memory location (SZ). The invention provides that the evaluating device (AW) is provided with a device (SE) via which the reading out of the memory location ensues in two steps so that the reading voltage is applied only during the reading process.
(FR)La présente invention concerne une mémoire non volatile qui comprend au moins une cellule mémoire (SZ) qui est adressable au moyen de lignes de mots, lignes de bits et lignes de sources qui permettent l'écriture, la lecture et l'effacement, et au moins un système d'interprétation (AW) qui est couplé à la cellule mémoire (SZ) et interprète le contenu de la cellule mémoire (SZ) à l'application d'une tension de lecture à la ligne binaire par détection du courant qui traverse la cellule mémoire (SZ). Selon l'invention, le système d'interprétation (AW) est doté d'un dispositif (SE) qui permet la lecture de la cellule mémoire en deux étapes de sorte que la tension de lecture n'est appliquée qu'au cours du processus de lecture.
États désignés : BR, CA, CN, IL, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)