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1. (WO2003090230) CORRECTION DE TEMPORISATION VARIABLE POUR UNE DESADAPTATION DEPENDANTE DES DONNEES DANS UNE CARACTERISTIQUE DE DISPOSITIFS OPPOSES D'UN AMPLIFICATEUR DE DETECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090230    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/008303
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 17.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.11.2003    
CIB :
G11C 7/06 (2006.01)
Déposants : SUN MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 4150 Network Circle, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : ELEYAN, Nadeem, N.; (US).
LEVY, Howard, L.; (US).
SU, Jeffrey, Y.; (US)
Mandataire : O'BRIEN, David, W.; Zagorin O'Brien & Graham LLP, 401 West 15th Street, Suite 870, Austin, TX 78701 (US).
FREEMAN, Jacqueline, C.; W.P. Thompson & Co., 55 Drury Lane, London WC2B 5SQ (GB)
Données relatives à la priorité :
10/123,480 16.04.2002 US
Titre (EN) VARIABLE DELAY COMPENSATION FOR DATA-DEPENDENT MISMATCH IN CHARACTERISTIC OF OPPOSING DEVICES OF A SENSE AMPLIFIER
(FR) CORRECTION DE TEMPORISATION VARIABLE POUR UNE DESADAPTATION DEPENDANTE DES DONNEES DANS UNE CARACTERISTIQUE DE DISPOSITIFS OPPOSES D'UN AMPLIFICATEUR DE DETECTION
Abrégé : front page image
(EN)Post-manufacture variation of timing may be employed to address data-dependent degradation or creep in device characteristics affecting a differential circuit. One particular example of such data-dependent degradation or creep involves Negative Bias Temperature Instability (NBTI). In certain memory circuit configurations, NBTI can cause threshold voltage (V¿t?) of PMOS devices to increase by an amount that depends on the historical amount of voltage bias that has been applied across gate and source/drain nodes. In the case of many sense amplifier designs, a predominant value read out using the sense amp may tend to disparately affect one device (or set of devices) as compared with an opposing device (or set of devices). In other words, if the same data value is read over and over again, then one of two opposing PMOS devices of a typical sense amp will accumulate an NBTI-related V¿t? shift, while the opposing PMOS device will accumulate little or no shift. The accumulated mismatch tends to cause an increase in the sense amp fail-point.
(FR)Selon l'invention, une variation de temporisation, après fabrication, peut être mise en oeuvre pour faire face à une détérioration ou à un fluage dépendant des données, dans des caractéristiques d'un dispositif touchant un circuit différentiel. Un exemple particulier de cette détérioration ou fluage dépendant des données implique une instabilité de température de polarisation négative (NBTI). Dans certaines configurations de circuit de mémoire, une NBTI peut amener une tension de seuil (Vt) de dispositifs PMOS, à augmenter d'un niveau qui dépende du niveau historique de polarisation de la tension appliqué aux bornes de noeuds de porte ou de source/drain. S'agissant de nombreux modèles d'amplificateurs de détection, une extraction de valeurs prédominantes utilisant l'amplificateur de détection peut tendre à modifier de manière disparate un dispositif (ou un ensemble de dispositifs) par comparaison avec un dispositif (ou un ensemble de dispositifs) opposé. En d'autres termes, si la même valeur de données est extraite plusieurs fois, il en résulte qu'un des deux dispositifs PMOS opposés d'un amplificateur de détection typique accumulera un décalage Vt apparenté à NBTI, tandis que l'autre dispositif PMOS opposé accumulera un décalage faible ou nulle. La désadaptation accumulée tend à provoquer une augmentation du point de défaillance de l'amplificateur de détection.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)