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1. (WO2003090229) CELLULES DE MEMOIRE AMELIOREES POUR LA RESISTANCE A LA PERTURBATION ISOLEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090229    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/010812
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 09.04.2003
CIB :
G11C 11/412 (2006.01)
Déposants : XILINX, INC. [US/US]; 2100 Logic Drive, San Jose, CA 95124 (US)
Inventeurs : LESEA, Austin, H.; (US)
Mandataire : CHANROO, Keith, A.; Xilinx, Inc., 2100 Logic Drive, San Jose, CA 95124 (US)
Données relatives à la priorité :
10/125,666 17.04.2002 US
Titre (EN) MEMORY CELLS ENHANCED FOR RESISTANCE TO SINGLE EVENT UPSET
(FR) CELLULES DE MEMOIRE AMELIOREES POUR LA RESISTANCE A LA PERTURBATION ISOLEE
Abrégé : front page image
(EN)Method and apparatus are described for providing memory cells enhanced for resistance to single event upsets. In one embodiment, transistors are coupled between cross coupled inverters of a latch, thus in a small area providing both single-event-upset resistivity most of the time, and high speed during writing to the memory cell. Alternatively, inductors coupled between inverters of a latch may be used.
(FR)La présente invention a trait à un procédé et un appareil permettant la réalisation de cellules de mémoires améliorées pour une résistance à des perturbations isolées. Dans un mode de réalisation, des transistors sont reliés entre des inverseurs interconnectés d'un verrou, fournissant ainsi dans une petite surface à la fois une résistivité à la perturbation isolée la plupart du temps, et une vitesse élevée lors de l'inscription dans la cellule de mémoire. En variante, on peut utiliser des bobines d'inductance reliées entre des inverseurs d'un verrou.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)