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1. (WO2003090002) CAPTEUR DE PUISSANCE MAXIMUM POUR UN SYSTEME PHOTOVOLTAIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090002    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/025872
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 13.08.2002
CIB :
G05F 1/67 (2006.01)
Déposants : ASTROPOWER, INC. [US/US]; 300 Executive Drive, Newark, DE 19702-3316 (US) (Tous Sauf US).
SCHRIPSEMA, Jason [US/US]; (US) (US Seulement).
JOHNSTON, Michael, Antony [US/US]; (US) (US Seulement).
HOLMES, Alysha [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRIPSEMA, Jason; (US).
JOHNSTON, Michael, Antony; (US).
HOLMES, Alysha; (US)
Mandataire : BROWN, Kevin, C.; BURR & BROWN, P.O. Box 7068, Syracuse, NY 13261 (US)
Données relatives à la priorité :
60/373,286 17.04.2002 US
Titre (EN) MAXIMUM POWER SENSOR FOR PHOTOVOLTAIC SYSTEM
(FR) CAPTEUR DE PUISSANCE MAXIMUM POUR UN SYSTEME PHOTOVOLTAIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A maximum power level sensor and method for reliably providing instantaneous estimates of maximum power level for a photovoltaic system including one or more photovoltaic cells under prevailing conditions of irradiance, array temperature and spectrum of sunlight. The maximum power level sensor produces a reference voltage signal which is proportional to the maximum power level of the photovoltaic system. The maximum power level sensor comprises a reference circuit including at least one reference photovoltaic cell and a thermistor network in parallel with the reference cell. The thermistor network comprises at least one negative temperature coefficient thermistor, at least one resistor in parallel with the thermistor, and at least one resistor in series with the thermistor and the parallel resistor. The thermistor is positioned in or on the photovoltaic array. The reference cell is preferably constructed of materials which are similar to those of the photovoltaic cells in the photovoltaic system.
(FR)L'invention concerne un capteur de niveau de puissance maximum ainsi qu'un procédé servant à fournir de manière fiable des estimations instantanées du niveau de puissance maximum pour un système photovoltaïque comprenant une ou plusieurs cellules photovoltaïques, dans les conditions régnantes d'exposition énergétique, de température du réseau et de spectre de rayonnement solaire. Le capteur de niveau de puissance maximum selon l'invention produit un signal de tension de référence qui est proportionnel au niveau de puissance maximum du système photovoltaïque. Le capteur de niveau de puissance maximum comprend un circuit de référence contenant au moins une cellule photovoltaïque de référence et un réseau thermistance monté en parallèle avec la cellule de référence. Le réseau thermistance comprend au moins une thermistance à coefficient de température négatif, au moins une résistance montée en parallèle avec la thermistance, ainsi qu'au moins une résistance montée en série avec la thermistance et la résistance parallèle. La thermistance est placée dans ou sur le réseau photovoltaïque. La cellule de référence est, de préférence, constituée de matériaux similaires à ceux des cellules photovoltaïques du système photovoltaïque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)