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1. (WO2003089964) ELEMENT DE REFLEXION DE LUMIERE D'EXPOSITION ET PROCEDE DE REALISATION A CET EFFET, DE MASQUE, DE SYSTEME D'EXPOSITION, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/089964    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/005000
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 18.04.2003
CIB :
G02B 5/08 (2006.01), G02B 5/20 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAWARA, Minoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGAWARA, Minoru; (JP)
Mandataire : NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, 9th Floor, Toranomon Daiichi Building, 2-3, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-118941 22.04.2002 JP
Titre (EN) REFLECTION ELEMENT OF EXPOSURE LIGHT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, MASK, EXPOSURE SYSTEM, AND PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ELEMENT DE REFLEXION DE LUMIERE D'EXPOSITION ET PROCEDE DE REALISATION A CET EFFET, DE MASQUE, DE SYSTEME D'EXPOSITION, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A reflection element of an exposure light which allows a dependency of reflectance on wavelength after going through a plurality of reflection planes to agree with the exposure center wavelength of an exposure light even allowing for variations in thickness or the like to some extent to thereby ensure a sufficient energy reaching an object of exposure and a production method therefore, a mask, an exposure system, and a production method of a semiconductor device. A reflection element of an exposure light, used when an exposure is performed on an object of exposure in a lithography process for fabricating a semiconductor device, is so constructed as to have a multi-layer film structure consisting of a plurality of layers repeatedly laminated in the same sequence. During the laminating, the cycle length of a repeating laminate unit in the multi-layer film structure is set so that the half width of a reflectance agrees with the center wavelength of a ultra-short ultraviolet ray to be reflected when a specified number of reflection elements are passed through (S102).
(FR)La présente invention a trait à un élément de réflexion d'une lumière d'exposition qui permet une dépendance de réflectance sur une longueur d'onde après le passage à travers une pluralité de plans de réflexion de concorder avec la longueur d'onde centrale d'exposition d'une lumière d'exposition même en présence d'une certaine différence d'épaisseur ou analogue en vue d'assurer qu'un objet exposé soit atteint d'une énergie suffisante et un procédé de réalisation à cet effet, d'un masque, d'un système d'exposition, et un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur. Un élément de réflexion d'une lumière d'exposition, utilisé lors d'une exposition sur un objet exposé dans un procédé de lithographie pour la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, est construit de manière à présenter une structure de films multicouches constituée d'une pluralité de couches laminées à répétition dans la même séquence. Lors de la stratification, la durée de cycle d'une unité de laminés répétés dans une structure de films multicouches est réglée de sorte que la demi-largeur d'une réflectance concorde avec la longueur d'onde centrale d'un rayon ultraviolet ultracourte à être réfléchie lorsqu'un nombre déterminé d'éléments de réflexion sont traversés (S102).
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)