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1. (WO2003089697) PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANCHES DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, CRISTAL GERME DESTINE A LA PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, LINGOT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/089697    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004868
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 17.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.08.2003    
CIB :
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/36 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : KOMATSU DENSHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 25-1, Shinomiya 3-chome, Hiratsuka-shi, Kanagawa 254-0014 (JP) (Tous Sauf US).
IIDA, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP).
SHIRAISHI, Yutaka [JP/JP]; (JP).
SUEWAKA, Ryota [JP/JP]; (JP).
TOMIOKA, Junsuke [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : IIDA, Tetsuhiro; (JP).
SHIRAISHI, Yutaka; (JP).
SUEWAKA, Ryota; (JP).
TOMIOKA, Junsuke; (JP)
Mandataire : KIMURA, Takahisa; 6F, Sendai Building, 8-11, Minato 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0043 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-118281 19.04.2002 JP
Titre (EN) SINGLE CRYSTAL SILICON PRODUCING METHOD, SINGLE CRYSTAL SILICON WAFER PRODUCING METHOD, SEED CRYSTAL FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON, SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT, AND SINGLE CRYSTAL SILICON WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANCHES DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, CRISTAL GERME DESTINE A LA PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, LINGOT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)A method for eliminating slip dislocation when a single crystal silicon is produced, a seed crystal for eliminating slip dislocation, a single crystal silicon ingot from which slip dislocation is eliminated, and a single crystal silicon wafer are disclosed. A single crystal silicon is produced by dipping a seed crystal in a melt and pulling the seed crystal up along the axis of the seed crystal, using a single crystal (1) such that the <110> crystal orientation (10) is inclined at a predetermined angle &thetas; with respect to the axial direction (9) in such a way that the direction of the edge (8) of the {111} crystal face is inclined with respect to the axial direction (9). When a single crystal silicon is grown while pulling up a seed crystal by the CZ method, a single crystal silicon ingot of a large diameter and a heavy weight can be pulled up by eliminating slip dislocation from the thick crystal.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'éliminer la dislocation de glissement lors de la production d'un silicium monocristallin, un cristal germe destiné à l'élimination de la dislocation de glissement, un lingot de cristal monocristallin duquel la dislocation de glissement est éliminée, et une tranche de silicium monocristallin. On produit un silicium monocristallin en immergeant un cristal germe dans une matière en fusion et en remontant le cristal germe le long de l'axe du cristal germe à l'aide d'un monocristal (1) de telle manière que <110> l'orientation du cristal (10) soit inclinée en formant un angle $g(u) prédéterminé par rapport à la direction axiale (9) de telle manière que la direction du bord (8) de la face de cristal (111) soit inclinée par rapport à la direction axiale (9). Si un silicium monocristallin croit lorsque l'on remonte un cristal germe par le procédé CZ, un lingot de silicium monocristallin d'un grand diamètre et d'un poids élevé peut être remonté par élimination de la dislocation de glissement du cristal épais.
États désignés : KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)