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1. (WO2003089694) PUITS QUANTIQUE (A1,B,IN,GA)N NON POLAIRE, AINSI QUE MATIERES ET DISPOSITIFS A HETEROSTRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/089694    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/011175
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 15.04.2003
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/04 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/60 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th floor, Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
CRAVEN, Michael, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
KELLER, Stacia [DE/US]; (US) (US Seulement).
DENBAARS, Steven, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
MARGALITH, Tal [US/US]; (US) (US Seulement).
SPECK, James, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
NAKAMURA, Shuji [JP/US]; (US) (US Seulement).
MISHRA, Umesh, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CRAVEN, Michael, D.; (US).
KELLER, Stacia; (US).
DENBAARS, Steven, P.; (US).
MARGALITH, Tal; (US).
SPECK, James, S.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US).
MISHRA, Umesh, K.; (US)
Mandataire : GATES, George, H.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, CA 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
60/372,909 15.04.2002 US
Titre (EN) NON-POLAR (A1,B,In,Ga) QUANTUM WELL AND HETEROSTRUCTURE MATERIALS AND DEVICES
(FR) PUITS QUANTIQUE (A1,B,IN,GA)N NON POLAIRE, AINSI QUE MATIERES ET DISPOSITIFS A HETEROSTRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming non-polar (A1,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (1120) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1102) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (1120) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (A1,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un puits quantique (A1,B,In,Ga)N non polaire, ainsi que des matières et des dispositifs à hétérostructure. Des couches GaN à plan A (11<o>2</o>0) non polaires sont formées sur un substrat de saphir à plan R (1<o>1</o>02) en faisant appel à une déposition chimique métal-oxyde en phase vapeur (MOCVD). Ces couches GaN à plan A (11<o>2</o>0) non polaires comprennent des modèles permettant de produire un puits quantique (A1,B,In,Ga)N non polaire, ainsi que des matières et des dispositifs à hétérostructure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)