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1. (WO2003089689) CATHODE POUR CELLULE ELECTROLYTIQUE DE TYPE HALL-HEROULT DESTINEE A LA PRODUCTION D'ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/089689    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/003331
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 04.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.07.2003    
CIB :
C25C 3/08 (2006.01)
Déposants : NORTHWEST ALUMINUM TECHNOLOGIES [US/US]; 1080 West Ewing Place, Seattle, WA 98119 (US)
Inventeurs : BROWN, Craig, W.; (US)
Mandataire : MASS, Clifford, J.; Ladas & Parry, 26 West 61st Street, New York, NY 10023 (US)
Données relatives à la priorité :
10/126,068 22.04.2002 US
Titre (EN) CATHODE FOR A HALL-HEROULT TYPE ELECTROLYTIC CELL FOR PRODUCING ALUMINUM
(FR) CATHODE POUR CELLULE ELECTROLYTIQUE DE TYPE HALL-HEROULT DESTINEE A LA PRODUCTION D'ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing aluminum from alumina in an electrolytic cell including using a cathode (60) comprised of a base material (61) having low electrical conductivity and wettable with molten aluminum to form a reaction layer (66) having a high electrical conductivity on said base layer and a cathode bar (70) extending from said reaction layer through said base material to conduct electrical current from said reaction layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'aluminium à partir d'alumine, dans une cellule électrolytique. Le procédé consiste à utiliser une cathode (60) constituée d'un matériau de base (61) présentant une faible conductivité électrique et mouillable avec de l'aluminium fondu, pour former une couche de réaction (66) présentant une conductivité électrique élevée sur ladite couche de base et une barre cathodique (70) s'étendant de la couche de réaction et traversant le matériau de base pour transporter le courant électrique à partir de la couche de réaction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)