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1. (WO2003089684) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR DEPOSER DE FINES COUCHES SUR UN SUBSTRAT DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT REGLABLE EN HAUTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/089684    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/003953
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 16.04.2003
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17, 52072 Aachen (DE) (Tous Sauf US).
JÜRGENSEN, Holger [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRAUCH, Gerhard, Karl [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : JÜRGENSEN, Holger; (DE).
STRAUCH, Gerhard, Karl; (DE)
Mandataire : GRUNDMANN, Dirk; Rieder & Partner, Corneliusstrasse 45, 42329 Wuppertal (DE)
Données relatives à la priorité :
102 17 806.2 22.04.2002 DE
Titre (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN DÜNNER SCHICHTEN AUF EINEM SUBSTRAT IN EINER HÖHENVERSTELLBAREN PROZESSKAMMER
(EN) METHOD AND DEVICE FOR DEPOSITING THIN LAYERS ON A SUBSTRATE IN A HEIGHT-ADJUSTABLE PROCESS CHAMBER
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR DEPOSER DE FINES COUCHES SUR UN SUBSTRAT DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT REGLABLE EN HAUTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf ein Substrat in einer in einem Reaktorgehäuse (1, 2, 3) angeordneten Prozesskammer (4), deren Boden von einem temperierbaren Substrathalter (5), der um seine Vertikalachse (6) drehangetrieben wird, und deren Decke von einem Gaseinlassorgan (7) gebildet ist, wobei sich die Decke parallel zum Boden erstreckt und mit ihren siebartig angeordneten Gasaustrittsöffnungen (8) eine sich über die gesamte Substratauflagefläche (9) des Substrathalters (5) erstreckende Gasaustrittsfläche (10) ausbildet, durch welche das Prozessgas in die Prozesskammer (4) eingeleitet wird. Wesentlich ist, dass die durch den Abstand (H) der Substratauflagefläche (9) zur Gasaustrittsfläche (10) definierte Prozesskammerhöhe vor Beginn des Abscheidungsprozesses und/oder während des Abscheidungsprozesses variiert wird.
(EN)The invention relates to a method and a device for depositing thin layers on a substrate in a process chamber (4) arranged in a reactor housing (1, 2, 3), the bottom of said process chamber consisting of a temperable substrate holder (5) which can be rotatably driven about its vertical axis (6), and the cover of said chamber consisting of a gas inlet element (7). Said cover extends parallel to the bottom and forms, together with its gas outlets (8) arranged in a sieve-type manner, a gas exit surface (10) which extends over the entire substrate bearing surface (9) of the substrate holder (5), the process gas being introduced into the process chamber (4) through said gas exit surface. The invention is characterised in that the height of the process chamber which is defined by the distance (H) between the substrate bearing surface (9) and the gas exit surface (10) is varied before the beginning of the deposition process and/or during the deposition process.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif permettant de déposer de fines couches sur un substrat dans une chambre de traitement (4) disposée dans un boîtier de réacteur (1, 2, 3), dont le fond est formé d'un support de substrat (5), entraîné en rotation autour de son axe vertical (6) et dont le couvercle est formé d'un élément d'admission de gaz (7). Le couvercle s'étend parallèlement au fond et forme, conjointement avec ses orifices de sortie de gaz (8) disposées en tamis, une surface de sortie de gaz (8) s'étendant sur toute la surface d'appui du substrat (9) du support de substrat (5), surface de sortie de gaz à travers laquelle le gaz de traitement est injecté dans la chambre de traitement (4). L'invention se caractérise en ce que la hauteur de la chambre de traitement, définie par l'écart entre la surface d'appui du substrat (9) et la surface de sortie du gaz (10), est modulée avant le début du processus de dépôt et/ou pendant ledit processus de dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)