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1. (WO2003089683) APPAREIL ET PROCEDE PERMETTANT DE DEPOSER UNE COUCHE MINCE SUR UNE PLAQUETTE EN UTILISANT DU PLASMA A DISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/089683    N° de la demande internationale :    PCT/KR2003/000786
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 17.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.04.2003    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : IPS LTD. [KR/KR]; 33 Jije-dong, Pyungtaek-city, Kyungki-do 450-090 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Young-Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LIM, Hong-Joo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Sang-Kyu [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KYUNG, Hyun-Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
BAE, Jang-Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Young-Hoon; (KR).
LIM, Hong-Joo; (KR).
LEE, Sang-Kyu; (KR).
KYUNG, Hyun-Soo; (KR).
BAE, Jang-Ho; (KR)
Mandataire : LEE, Young-Pil; The Cheonghwa Building, 1571-18, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-874 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2002-0021554 19.04.2002 KR
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM ON WAFER USING REMOTE PLASMA
(FR) APPAREIL ET PROCEDE PERMETTANT DE DEPOSER UNE COUCHE MINCE SUR UNE PLAQUETTE EN UTILISANT DU PLASMA A DISTANCE
Abrégé : front page image
(EN)A remote-plasma ALD apparatus includes a reaction chamber, an exhaust line for exhausting gas from the reaction chamber, a first reactive gas supply unit for selectively supplying a first reactive gas to the reactant chamber or the exhaust line, a first reactive gas transfer line for connecting the first reactive gas supply unit and the reactant chamber, a first bypass line for connecting the first reactive gas supply line and the exhaust line, a radical supply unit for generating radicals and selectively supplying the radicals to the reactant chamber or the exhaust line, a radical transfer line for connecting the radical supply unit and the reactant chamber, a second bypass line for connecting the radical supply unit and the exhaust line, and a main purge gas supply unit for supplying a main purge gas to the first reactant transfer line and/or the radical transfer line.
(FR)La présente invention concerne un appareil de dépôt par couche atomique (ALD) de plasma à distance, comprenant une chambre de réaction, une conduite d'évacuation servant à évacuer du gaz depuis la chambre de réaction, une unité d'alimentation de premier gaz réactif alimentant de manière sélective la chambre de réaction ou la conduite d'évacuation d'un premier gaz réactif, une conduite de transfert de premier gaz réactif qui relie l'unité d'alimentation de premier gaz réactif à la chambre de réaction, une première conduite de dérivation qui relie la conduite d'alimentation de premier gaz réactif à la conduite d'évacuation, une unité d'alimentation de radicaux qui génère des radicaux et en alimente de manière sélective la chambre de réaction ou la conduite d'évacuation, une conduite de transfert de radicaux qui relie l'unité d'alimentation de radicaux à la chambre de réaction, une deuxième conduite de dérivation qui relie l'unité d'alimentation de radicaux à la conduite d'évacuation, ainsi qu'une unité d'alimentation de gaz de purge qui alimente la conduite de transfert de premier gaz réactif et/ou la conduite de transfert de radicaux d'un gaz de purge principal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)