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1. (WO2003088408) RESONATEURS EVANESCENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088408    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/010755
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 09.04.2003
CIB :
H01P 1/219 (2006.01), H01P 7/08 (2006.01)
Déposants : NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; University Heights, Newark, NJ 07102-1982 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NI, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
SNYDER, Richard, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
NIVER, Edip [US/US]; (US) (US Seulement).
UM, Keehong [KR/US]; (US) (US Seulement).
SHIN, Sanghoon [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SNYDER, Richard, V.; (US).
NIVER, Edip; (US).
UM, Keehong; (US).
SHIN, Sanghoon; (US)
Mandataire : JACKSON, David, A.; Klauber & Jackson, 411 Hackensack Avenue, Hackensack, NJ 07601 (US)
Données relatives à la priorité :
60/371,210 09.04.2002 US
10/159,497 31.05.2002 US
Titre (EN) EVANESCENT RESONATORS
(FR) RESONATEURS EVANESCENTS
Abrégé : front page image
(EN)The evanescent waveguide of the resonator (100) includes a single length of evanescent transmission line terminated in short circuit, a first support substrate (115) having a predetermined dielectric constant, the first support substrate having a top surface and a bottom surface; a dielectrically loaded feed network including: (a) a second substrate (100) arranged on the top surface of the first support substrate, the second substrate having a predetermined dielectric constant that is higher than the first support substrate; and (b) a metal strip (105) arranged on an upper surface of the second substrate, so that the second substrate is arranged between the first support substrate and the second substrate. A ground plane is arranged on the bottom surface of the first support substrate, the support substrate includes a hollow metalized center area (125) being open on an upper end closest to the second substrate.
(FR)Cette invention concerne un résonateur (100) présentant un guide d'onde évanescent qui comprend une seule section de ligne de transmission évanescente se terminant en court circuit, un premier substrat (115) de support présentant une constante diélectrique prédéterminée, ce premier substrat de support comportant une surface supérieure et une surface inférieure, un réseau de sources chargé diélectriquement comprenant (a) un second substrat (110) disposé sur la surface supérieure du premier substrat de support, ce second substrat présentant une constante diélectrique prédéterminée plus élevée que le premier substrat de support, et (b) une bande de métal (105) disposée sur la surface supérieure du second substrat de manière que le second substrat est placé entre le premier substrat de support et le second substrat. Une plaque de masse est disposée sur la surface inférieure du premier substrat de support, ce substrat de support comprenant une zone centrale (125) métallisée creuse ouverte à l'extrémité supérieure au point le plus proche du second substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)