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1. (WO2003088362) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088362    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003764
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 16.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.04.2002    
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6334 (JP) (Tous Sauf US).
KOSHIMIZU, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAGOTOSHI, Yasuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MACHIDA, Nobuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOSHIMIZU, Makoto; (JP).
KAGOTOSHI, Yasuaki; (JP).
MACHIDA, Nobuo; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F, Azeria Bldg., 1-1, Nishi-shinjuku 8-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A side wall insulating film (9) is provided on a side surface of a first aperture (8a) made in a base extraction electrode (5B) of a hetero−junction bipolar transistor, a part of the side wall insulating film (9) is extended from a surface facing a semiconductor substrate (1) in the base extraction electrode (5B) toward a main surface of the semi conductor substrate (1) in a protruded manner, and the protrusion length is set to be one half the thickness of the insulating film (4) interposed between the main surface of the semi conductor substrate (1) and a lower surface of the base extraction electrode (5B), or to be smaller than one half the thickness of the insulating film (4).
(FR)Selon l'invention, un film isolant de paroi latérale (9) est disposé sur une surface latérale d'une première ouverture (8a) pratiquée dans un électrode d'extraction de base (5B) d'un transistor bipolaire à hétérojonction, une partie du film isolant de paroi latérale (9) étant étendue depuis une surface opposée à un substrat semi-conducteur (1) dans l'électrode d'extraction de base (5B) vers une surface principale du substrat semi-conducteur (1) de façon saillante, la longueur de saillie étant établie à la moitié de l'épaisseur du film isolant (4) interposé entre la surface principale du substrat semi-conducteur (1) et une surface inférieure de l'électrode d'extraction de base (5B), ou inférieure à la moitié de l'épaisseur du film isolant (4).
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (ZM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)