WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003088345) MATERIAU POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088345    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004126
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 31.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.08.2003    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAWARA, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OZAKI, Shigenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Masaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGAWARA, Takuya; (JP).
OZAKI, Shigenori; (JP).
SASAKI, Masaru; (JP)
Mandataire : ISHIDA, Takashi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-97871 29.03.2002 JP
Titre (EN) MATERIAL FOR ELECTRONIC DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) MATERIAU POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A material for electronic device at least comprising a substrate for electronic device and, superimposed thereon, a film of silicon oxynitride. This silicon oxynitride film is characterized in that when, in the direction of the thickness of silicon oxynitride film, the distribution of nitrogen content is investigated in accordance with the SIMS (secondary ion mass spectrometry) analysis, nitrogen atoms are contained in high proportion in the vicinity of the surface of oxynitride film. This characteristic enables obtaining a material for electronic device that contains an oxynitride film of excellent gate leak properties having a boron penetration inhibiting effect superior to that of a silicon oxide film.
(FR)L'invention porte sur un matériau pour dispositif électronique comprenant au moins un substrat pour dispositif électronique et un film d'oxyde-nitrure de silicium disposé à la surface de ce dernier. Ce film d'oxyde-nitrure de silicium se caractérise par le fait que quand, dans le sens de l'épaisseur du film d'oxyde-nitrure de silicium, la répartition de la teneur en azote est recherchée conformément à l'analyse de SIMS (spectrométrie de masse ionique secondaire), les atomes d'azote sont contenus dans des proportions élevées à proximité de la surface du film d'oxyde-nitrure. Cette caractéristique permet d'obtenir un matériau pour dispositif électronique qui contient un film d'oxyde-nitrure possédant d'excellentes propriétés de fuite de grille présentant un effet inhibiteur de la pénétration de bore supérieur à celui d'un film d'oxyde de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)