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1. (WO2003088341) PROCEDE POUR CONSTITUER UN FILM ISOLANT SOUS-JACENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088341    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004125
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 31.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.08.2003    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAWARA, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TADA, Yoshihide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Genji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OZAKI, Shigenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKANISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Masaru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUYAMA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASEBE, Kazuhide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAJIMA, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIWARA, Tomonori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGAWARA, Takuya; (JP).
TADA, Yoshihide; (JP).
NAKAMURA, Genji; (JP).
OZAKI, Shigenori; (JP).
NAKANISHI, Toshio; (JP).
SASAKI, Masaru; (JP).
MATSUYAMA, Seiji; (JP).
HASEBE, Kazuhide; (JP).
NAKAJIMA, Shigeru; (JP).
FUJIWARA, Tomonori; (JP)
Mandataire : ISHIDA, Takashi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-97845 29.03.2002 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING UNDERLYING INSULATION FILM
(FR) PROCEDE POUR CONSTITUER UN FILM ISOLANT SOUS-JACENT
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming an underlying film at the interface between an insulation film and a basic material for electronic device by irradiating the surface of the insulation film formed on the basic material for electronic device with plasma based on a processing gas containing at least oxygen atoms. A high-quality underlying film can be obtained at the interface between the insulation film and the basic material for electronic device in order to enhance the characteristics of the insulation film.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour constituer un film sous-jacent à l'interface entre une film isolant et une matière de base pour dispositif électronique, par irradiation de la surface du film isolant formé sur la matière de base pour dispositif électronique avec un plasma qui se base sur un gaz de traitement contenant au moins des atomes d'oxygène. Un film sous-jacent de qualité élevée peut être obtenu à l'interface entre le film isolant et la matière de base pour dispositif électronique, ce qui permet d'améliorer les propriétés du film isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)