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1. (WO2003088333) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE CONDUCTRICE ET/OU SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088333    N° de la demande internationale :    PCT/RU2003/000171
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 16.04.2003
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : GUROVICH, Boris Aronovich [RU/RU]; (RU).
KULESHOVA, Evgenia Anatolievna [RU/RU]; (RU).
DOLGY, Dmitry Iosifovich [RU/RU]; (RU)
Inventeurs : GUROVICH, Boris Aronovich; (RU).
KULESHOVA, Evgenia Anatolievna; (RU).
DOLGY, Dmitry Iosifovich; (RU)
Mandataire : OBSCHESTVO S OGRANICHENNOI OTVETSTVENNOSTJU 'PATENTNOE AGENSTVO 'VTSPU'; ul. Mikhlukho-Maklaya, 55A Moscow, 117279 (RU)
Données relatives à la priorité :
2002110168 18.04.2002 RU
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A VOLUME CONDUCTIVE AND/OR SEMICONDUCTIVE STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE CONDUCTRICE ET/OU SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)The inventive method consists in irradiating a blank made of dielectric materials by a stream of accelerated particles (7) which selectively remove non-metal atoms from the material through a pattern (8) provided with an image in the form of through holes (9) and/or recess holes (10) having different depths. The thickness of said pattern (8) is higher than the projective path length of the particles (7) therein which produce radiation. Afterwards, the blank is processed through said pattern (8) by a flow of non-metal ions which restore the dielectric properties of the blank material in specified regions and make it possible to produce a volume conductive and/or semiconductive multilevel structure.
(FR)Le procédé comprend l'irradiation d'une pièce à usiner diélectrique par un flux de particules accélérées (7) qui permet d'enlever sélectivement les atomes des non-métaux présents dans le matériau de la pièce, à travers un masque (8) comportant un ou plusieurs orifices traversants (9) et/ou non traversants (10) ayant des profondeurs différentes. On utilise un masque (8) dont l'épaisseur est supérieure à la longueur de la course de projection des particules accélérées (7) utilisées pour l'irradiation à l'intérieur dudit masque. On traite ensuite la pièce à travers le même masque (8) par un flux d'ions non métalliques qui permettent de rétablir les propriétés diélectriques du matériau du masque dans les domaines souhaités et d'obtenir une structure tridimensionnelle conductrice et/ou semi-conductrice à niveaux multiples.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)