WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003088316) PROCEDES D'ELECTROPOLISSAGE ET D'ELECTRODEPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088316    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/011417
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 11.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2003    
CIB :
C25D 5/18 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ACM RESEARCH, INC. [US/US]; Suite 610, 46520 Fremont Boulevard, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
WANG, Hui [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Jian [CN/US]; (US) (US Seulement).
YIH, Peihaur [CN/US]; (US) (US Seulement).
WU, Huiquan [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Hui; (US).
WANG, Jian; (US).
YIH, Peihaur; (US).
WU, Huiquan; (US)
Mandataire : YIM, Peter, J.; Morrison & Foerster LLP, 425 Market Street, San Francisco, CA 94105-2482 (US)
Données relatives à la priorité :
60/372,263 12.04.2002 US
60/382,133 21.05.2002 US
60/387,826 08.06.2002 US
60/398,316 24.07.2002 US
Titre (EN) ELECTROPOLISHING AND ELECTROPLATING METHODS
(FR) PROCEDES D'ELECTROPOLISSAGE ET D'ELECTRODEPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect of the present invention, an exemplary method is provided for electroplating a conductive film on a wafer. The method includes electroplating a metal film on a semiconductor structure having recessed regions and non-recessed region within a first current density range before the metal layer is planar above recessed regions of a first density, and electroplating within a second current density range after the metal layer is planar above the recessed regions. The second current density range is greater than the first current density range. In one example, the method further includes electroplating in the second current density range until the metal layer is planar above recessed regions of a second density, the second density being greater than the first density, and electroplating within a third current density range thereafter.
(FR)Un aspect de la présente invention concerne un procédé exemplaire d'électrodéposition d'une couche conductrice sur une plaquette. Ledit procédé consiste à déposer par électrolyse une couche métallique sur une structure semi-conductrice présentant des régions en retrait et des régions non en retrait à l'intérieur d'une plage de densités de courant avant que la couche métallique ne soit plane au-dessus des régions en retrait présentant une première densité et à déposer par électrolyse une couche métallique à l'intérieur d'une seconde plage de densités de courant après que la couche métallique est plane au-dessus des régions en retrait. La seconde plage de densités de courant est supérieure à celle de la première plage de densités de courant. Dans un exemple, le procédé consiste également à déposer par électrolyse une couche métallique dans la seconde plage de densités de courant jusqu'à ce que la couche métallique soit plane au-dessus des régions en retrait présentant une deuxième densité, la deuxième densité étant supérieure à la première densité et à déposer par électrolyse une couche métallique à l'intérieur d'une troisième plage de densités de courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)