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1. (WO2003088313) PROCEDE AMELIORE DE GRAVURE DE TROUS D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088313    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/010588
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 07.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.07.2003    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : UNAXIS USA, INC. [US/US]; 10050 16th Street North, St. Petersburg, FL 33718 (US)
Inventeurs : WESTERMAN, Russell; (US).
JOHNSON, David, J.; (US)
Mandataire : KAUGET, Harvey, S.; Holland & Knight LLP, 100 N. Tampa Street, Suite 4100, Tampa, FL 33602-3644 (US)
Données relatives à la priorité :
60/371,056 09.04.2002 US
10/407,831 04.04.2003 US
Titre (EN) IMPROVED METHOD FOR ETCHING VIAS
(FR) PROCEDE AMELIORE DE GRAVURE DE TROUS D'INTERCONNEXION
Abrégé : front page image
(EN)An improved method for etching a substrate that reduces the formation of pillars is provided by the present invention. In accordance with the method, the residence time of an etch gas utilized in the process is decreased and the power of an inductively coupled plasma source used to dissociate the etch gas is increased. A low bias RF voltage is provided during the etching process. The RF bias voltage is ramped between different bias levels utilized during the etch process. An inductively coupled plasma confinement ring is utilized to force the reactive species generated in the inductively coupled plasma source over the surface of the substrate. These steps reduce or eliminate the formation of pillars during the etching process.
(FR)L'invention concerne un procédé amélioré de gravure d'un substrat, réduisant la formation de colonnes. Selon ce procédé, le temps de résidence d'un gaz de gravure utilisé dans le processus est réduit et la puissance d'une source de plasma à couplage inductif utilisée pour dissocier le gaz de gravure augmente. Une tension RF à faible polarisation varie entre différents niveaux de polarisation utilisés au cours du processus de gravure. Un anneau de protection du plasma à couplage inductif est utilisé pour éliminer les espèces réactives générées dans la source de plasma à couplage inductif sur la surface du substrat. Ces étapes permettent de réduire ou d'éliminer la formation de colonnes au cours du processus de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)