WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003088299) PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN SUBSTRAT ET IMPLANTEUR IONIQUE PERMETTANT DE METTRE EN OEUVRE LEDIT PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/088299    N° de la demande internationale :    PCT/GB2003/001222
Date de publication : 23.10.2003 Date de dépôt international : 21.03.2003
CIB :
H01J 27/00 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US).
CROSS, Rupert, Edward, Blount [GB/GB]; (GB) (LR only)
Inventeurs : MURRELL, Adrian; (GB).
HARRISON, Bernard; (GB).
EDWARDS, Peter; (GB).
KINDERSLEY, Peter; (GB).
SAKASE, Takao; (US).
FARLEY, Marvin; (US).
SATOH, Shu; (US).
RYDING, Geoffrey; (US)
Mandataire : CROSS, Rupert, Edward, Blount; Boult Wade Tennant, Verulam Gardens, 70 Gray's Inn Road, London WC1X 8BT (GB)
Données relatives à la priorité :
10/119,290 10.04.2002 US
10/251,780 23.09.2002 US
Titre (EN) A METHOD OF IMPLANTING A SUBSTRATE AND AN ION IMPLANTER FOR PERFORMING THE METHOD
(FR) PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN SUBSTRAT ET IMPLANTEUR IONIQUE PERMETTANT DE METTRE EN OEUVRE LEDIT PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)An implanter provides two-dimensional scanning of a substrate relative to an implant beam so that the beam draws a raster of scan lines on the substrate. The beam current is measured at turnaround points off the substrate and the current value is used to control the subsequent fast scan speed so as to compensate for the effect of any variation in beam current on dose uniformity in the slow scan direction. The scanning may produce a raster of non-intersecting uniformly spaced parallel scan lines and the spacing between the lines is selected to ensure appropriate dose uniformity.
(FR)Selon l'invention, un implanteur assure le balayage bidimensionnel d'un substrat relativement à un faisceau d'implantation de sorte que le faisceau trace une trame de lignes de balayage sur le substrat. Le courant du faisceau est mesuré au niveau de points de demi-tour situés hors du substrat et la valeur du courant est utilisée pour contrôler la vitesse de balayage rapide subséquente de manière à compenser l'effet d'une quelconque variation au niveau du courant du faisceau sur l'uniformité de dose dans la direction de balayage lent. Le balayage peut produire une trame de lignes de balayage parallèles, espacées de manière uniforme, ne se croisant pas et l'espacement entre les lignes est sélectionné pour assurer une uniformité de dose appropriée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)